β-ＳｉＣ薄膜材料ＳＥＭ研究.pdfVIP

电子显微学报JChin．ELectrMicrosc．Soc． 18(Supp)：51～521999年 5l p-sic薄膜材料的SEM研究 张志勇“2赵武1王雪文“3周水仙1 陈治明2 (3中科院西安光机所，西安710068) 由于SiC薄膜在微电子技术、电力电子技术和光电了．技术等方面具有广阔的应用前景”，目 前国内外对其进行了广泛的研究．但这些应用的实现有赖于生长出高质量的SiC薄膜。在文中。 薄膜的微观结构进行了系统的分析研究，具体分析了SiC薄膜的形貌和粒状物的形状、大小、致 密程度，这些将对薄膜的质量有着重要的影响，经分析获得了有意义的结果。 实验方法 验过程为，在Si表面进行预处理后，首先在800℃、Hz气氛中对si衬底氢蚀15min，除去衬底表 后在讨底温度为750C、800 膜的形貌观察。 结果与讨论 SiC薄膜的生长是在基片表面，而不是在气相中．在其它温度较低的地方只能形成碳、硅混 合物、或石墨、多晶硅等的混合物。SiC膜的合成只能在加热的衬底表面发生，所以基板必须保持 一定的温度，而温度的高低将直接影响SiC膜的品质和沉积速率。图l列出了三个小同温度下所 制备样品的SEM形貌分析图。由图中可看出样品表面为粒状(或柱状)组成．薄膜生长时衬底温 而且颗粒较大，结1I句疏松，这是由于柳备样品时衬底温度低，C、Si活性原子失配使薄膜中含有一 温度高，c、si活性原予化学计量比相当。沉积中必须保汪H。有足够的流量，这是斟为在反应过 程中，由热解产生的原子氢或被激活的氢要不断地刻蚀与SiC。起沉积的石墨、无定型碳、非晶 硅和不稳定的碳硅化合物，因此必须不断供给新鲜的H。。因而，H。流量对SiC薄膜的品质将产 面为不规则球状物，且颗粒较大，平均成核密度为108C10D,I÷，这主要是困为氢气对薄膜刻蚀不足， 别稍大的颗粒。这可能是冈为氢气流量过大，刻蚀过T：厉害，表面SiC长得很慢。大的颗粒可能是 一些大的腐蚀坑，或缺陷上长出较人颗粒的SiC晶体。显然，合适的H。流量，对生长出高质量的 SiC膜有着重要的意义。同时，我们利用X—ray衍射谱，俄歇电子能谱等手段对以上样品进行测 电子屁微学报J，Chin．Electr．Microsc．Soc 试，结果与前面讨论的结果一致。另外，我们还利用椭偏仪测量出SiC膜的折射率在2．6～2．9范 围，这与SiC理论值2．7～2．8吻台。 结论 制备SiC薄膜时·衬底温度、H：流量对SiC薄膜的质量将有很大的影响，合适地选择衬底温 度、H=流量可制备出高质量的SiC单晶薄膜。 参考文献 [1]鄹志杰．SiC晶体生长和麻用．半导体技术．1998，23(5)：13一j7． Fz]张荣，施洪涛等．高技术通汛，i994，(11)：10 13． 997，18“)：317 [31雷犬明等．半导体学报，1 320 图1 不同温度下所制备样品的SEM形貌分析图 1150SCCM) (100SCCM) (200SCCMl 围2不同1l：流量下得到的SiC薄膜的SEM形貌淘 β-ＳｉＣ薄膜材料的ＳＥＭ研究 作者： 张志勇， 赵武， 王雪文， 陈治明， 张志勇， 王雪文 作者单位： 张志勇,赵武,王雪文(大学电子科学系(西安))， 陈治明,张志 勇(理工大学电子工程系)， 王雪文(院西安光机所,西安) 本文读者也读过(10条) 1. 赵武.王雪文.邓周虎.张志勇 HFCVD法制备SiC薄膜工艺 [期刊论文]-西北大 学学报(自然科学版)2002,32(3) 2. 陈俊芳.吴先球.王德秋.丁振峰.任兆杏 ECR-PECVD制备Si3N4薄膜沉积工艺 的研究[期刊论文]-物理学报1999(7) 3. 赵武.张志勇.吴铁柱.王雪文.邓周虎.戴琨.Zhao Wu.ZHANG Zhi-yong.WU Tie-zhu.WANG Xue-wen.DENG Zhou-hu.DAI Kun SiC薄膜的制备及其对气氛的响 应研究[期刊论文]-电子