半导体材料、微电子器件分层体视和内窥检测法的研究.pdfVIP

半荆务材幕干彳牧也-3-嚣d_牛分层衿茅灿 艮肉玩矛盒-bIC苏汐j乃贯船 胡问国‘ 李 萍一 徐晓华～ 李亚文～ 肖 玲’ 周开邻。 朱世秋+ 9．uP、y… (*云南大学拍理系 *#昆明物理研定所-·-馊，Ji) 当今世捍已进入倌息时代。信息时代的主要基础是计算机、虚讯和自动庀歧旨王其软件．面 这些设备又是以微电子器件为基础。面对信息爆炸时代，每日每时都在产生营的数量巨大的信 息．需要对其进行处理、传靖、存储、显示、打印和应用，这就青瞢要研制和生产集表度更嚼的集成电 路．人们正在研制和生产出超大规模和巨大规模的集成电路．及多层结构的集成电路，可是应用 传统的扫描电子显微镜(SEM)的检测方法只能观测集成电路般面一层电路的强结构．而在表面 下的亚袁面层中的备晷电路的馓结构是观测不到的。为此，我们I研制成功～辞璺戌电略无损瑚癌 显微分层熔视检测仪，把这台检测仪安瑶到SEM中就可以调测到多翟结均篓或哩路亚袁新层 中的各疆电路。突}酷了SEM传统的应用范目，我们观测到三层厚度的E1．!pm圭薄；童被间距为 o，spm的高分于聚台物隔开的多屠三明浩结构的标准惮品砸在面层中各屏的圈og，换占之，技 观测到的金的薄层的纵向分辨率优于0．2pm，衔被规测到的最大层器达到!j。r、JE．同时我 们用它来观测多屡结构的集成电路，已经能看到集成电路表面层下亚表而足中的多是电路．这有 相当重要的科学和应用价值。 集成电路无损内窥显微分层体祝砼测仪是这详工作的当把仑箜琏到SEMf一：f，坂SKM 电子枪挂出的一次电子入射到设观测的集成电路样品上fit，有的电子择^Il弹品o，互表面星巾， 从亚表面层中不同深度处产生的电子选出裘面时帚有该簿度甚触结构的汹像害．2．把这些信息 层深度用无损内窥恩微分层体枧探删释分别收集趟来加以处瑚和放大，送入到s}：M的显示系 统中，我们就可“获得该簿度层处样品徼结构的图像，本项目为与饿罗斯台¨：研，i晌一个项目． 参考文献 IlllIIpr,2．N xy曲如FOM],PYI‘¨E．“CPABHEI-II，IgIIHOOEMAII,BI儿lx吣：、仲KI：o呵㈤：1 [1]自¨．PAY 0,oFMHraOBAHHR1430BPAYKK[1Hf{B KOH+IPACT．k IaEKHMAXⅥl蛆yU}午r·B^11I。0”。、“l{’^÷f、卜 q pOlIHOl：{TEPMOAKyGIH-IBZKOItfMIfKPOCKOHH,l_l”．IoOCCH曲cKAHAKAO,EMlIH”+^、1．7irlfATCll_clt^且 rioB．gEKIP01．1l-IOlOiMl{KP0c心0nM竹．tlEPHOFOJIU51*,～19s11，Cr。?一一’ KOHOEPI!HI／H}I aoHfb AlIAillj [2]9、14．PAY．xyFO¨i．tPyl、HE．“-]HEPI、j!’【IIqECKI：11 I,ipG BI’jM30151Hcc：^E儿oDAHIlnMHOIOCAOI：KIblxMI e．：lPy．‘．Vi-”．兀n0开?I{1r1二7．㈠、m‘＼lⅢ一‘日， MEX^【mK^．】1095r．．CT15—5l *出穆目足聃{鲁屠象自垃科学翦盎麓且台j=|】云商宣应。；毡础*}札薤芷聋丑自贤助鲫】j 21 金刚石及其相关薄膜的场致电子发射研究进展和未来展望 许宁生 广州中山大学