GaAs晶体微结构的高分辨X射线衍射探究.pdfVIP

王超群等：GaAs晶体微结构的高分辨x射线衍射研究 73 GaAs晶体微结构的高分辨X射线衍射研究 王超群+ 胡广勇 (北京有色金属总院分析测试技术研究所，北京100088) 摘要：利用X射线的三轴晶高分辨衍射技术分析了GaAs晶片高温退火过程中晶体结晶完整 性以及高温退火过程中石墨接触区域热应力对位错影响。结果表明：在高温退火条件下，GaAs 晶体与石墨接触区域热导不均匀造成的热应力，致使该区域范性形变，产生高密度的位错。同 时，GaAs晶体中的位错通过弹性应力场的相互作用而驱使位错运动并排列起来，刃型位错向垂 直滑移面的平面移动，聚集后可形成小角晶界；GaAs晶体的晶格参数和取向都有变化。 关键词：GaAs，退火，取向，三轴晶模式衍射，点阵常数 1 前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料，它具有直接跃迁较大带 隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶uJ。因此，GaAs不仅是目前最重要的半导体光 GaAs 电子材料，还是继Si之后最重要的微电子材料。LEC技术目前生产准非掺杂SI 单晶的主要工艺幢J。该工艺使晶体中产生较大的热应力，因而导致晶体中有较高的位 错。为减少晶体中剩余应力，提高晶体完整性和物理性质均匀性[34]，除不断改进单晶 生长热场配置外，后续的退火热处理必不可少。在晶体的热处理工艺中，GaAs晶体位错 缺陷密度的大小和分布一直是非常重要的研究课题【5。6]。为此，本文首次采用X射线三 轴晶模式衍射法研究高温退火过程中热应力对GaAs晶体缺陷的影响。 2 实验 2．1样品制备 H202：H20(5：1：1)化学腐蚀，去除表面损伤层。 2．2实验装置和步骤 PRO MRD，利用CuKal辐射。三轴晶x射 实验仪器为Phillip公司生产的X’Pert 线衍射∽j实验装置如图l所示。X射线束是从Cu靶X射线管出来，经单色器入射到样 品上，然后经分析晶体后进入探测器。实验样品放置在测角仪上。测角仪由脉冲马达 驱动，步进角为0．0001。。单色器是由两组四块高完整性的锗单晶体组成；利用锗晶体 的{220}表面反射。由于这样设置，四晶单色器产生低发散、单色性好、波长为 -通讯作者：王超群，E—mail：wangcq@mail．grinm．com．cn 帕纳科第十届用户技术研讨会论文集 体，分析晶体是三个(220)面反射的高完整性的锗单晶；这样三轴晶衍射可以获得高分 辨率的摇摆曲线和甜与晶格参数20／叫的二维形貌图。 图1 三轴晶实验装置结构示意图 进角为0．0001。。将抛光、化学腐蚀后的样品用石腊将其粘贴在样品架上，外力不使样 品产生附加应力，测量过程中温度在±0．1℃变化。首先移开Ge分析晶体，将探测器置 盂为(444)面衍射角的位置固定不动，开放2臼角进行，仅转动样品做摇摆曲线扫描，找 最佳叫角，并固定即固定样品位置，同时记录叫角的最大范围；然后使用Ge分析晶体， 利用三轴晶装置进行的扫描，找到最佳2口位置，并记录2口角范围；将最佳倒和20位置 设置为测试的中心位置，在此位置附近做叫一2p／∞形貌图。具体方法为首先∞角在其 最佳位置的高角和低角补偿，此时∞角轴转动角步进为0．00l。，∞角每进一步后采用 2臼／∞两轴连动扫描，扫描完成后，20／∞回位，待叫角步进后继续20／w两轴连动扫描， 直至完成所有cU步进时的2臼／∞图谱，从而得到叫一2臼／cU的形貌。这样∞角的补偿值 代表取向信息，而2臼／叫的臼值对应点阵常数，通过该方法将常规衍射无法分离的品格 参数和取向信息分开，可得到用双晶无法分辨的亚晶、晶面弯曲、嵌镶块结构的形貌图。 由(444)面衍射的2口衍射角求点阵常数，首先按Bragg定理 2·d·sin0=A (1) 式中A