CIGS薄膜太阳电池在中国地研究进展.pdfVIP

CIGS薄膜太阳电池在中国的研究进展∗ 孙 云 李长健 （南开大学光电子研究所 天津 300071） 摘 要：中国CIGS薄膜太阳电池自80年代后期开始研究，由于经费少难度大99年采用蒸发法制备CIGS电池效率仅为 9.13%，且重复性很差。2002年得到国家“863”计划的重点投入，建立了CIGS薄膜电池的研究平台，通过对CIGS、CdS、 高阻ZnO与低阻ZAO薄膜的一系列研究，CIGS薄膜太阳电池在转换效率稳定获得8－11％的基础上达到12.1％（1cm2 面积）， 集成组件（3.5×3.6cm2 2 ）效率达到6.6％；计划在3年期间，完成中试线的建立，30×30cm 面积电池效率达到5－7％； 在此基础上，预计2007年可进入年产4-5MW生产技术与设备的开发研究，2015年有可能实现10MW生产能力。 关键词：Cu(In,Ga)Se2，太阳电池，研究进展，国家政策，规模产业化 前言 80年代后期，中国内蒙古大学、云南师范大学和南开大学等单位开始研究，CuInSe （简称CIS）材料 2 和电池研究，由于经费少难度大，最后只有南开大学在天津市自然基金、国家“八五”、“九五”攻关计 划少量经费资助下坚持下来，十年经费累计不足35万元人民币。采用蒸发法制备吸收层CIS薄膜，N型层CdS 2 与窗口低阻层CdS:In薄膜，92年研制CIS电池与a-Si电池构成的四端叠层太阳电池，1cm面积其转换效率为 2 [1] 2 7.44%，95年研制CIS电池效率为7.28 ％（1.0cm面积） ，99年研制（1cm面积）的CIS电池效率为8.83%， [1,2] CIGS电池效率为9.13% 。由于设备条件简陋，测试条件几乎为空白，工艺重复性很差。99年得到教育部 “211”工程资助使薄膜沉积条件稍有改善，开始研究金属预置层后硒化制备CIGS薄膜，CBD法制备过渡层 CdS薄膜，溅射本征ZnO、ZnO:Al薄膜等工艺技术。尤其是2002年得到国家“863”计划的重点投入，使薄膜 制备和测试分析条件大为改观，完善了共蒸发与溅射后硒化设备，提高了控制精度和工艺稳定性，装备了 一批世界先进水平的薄膜材料与光伏器件测试仪器与手段，具备了材料的平均成分比例、晶相结构、纳米 2 尺度薄膜厚度、电学参数、光学参数、大尺度表面形貌等测试功能，建立了CIGS薄膜电池10x10 cm面积组 件的研究平台，为中国发展CIGS薄膜太阳电池以及化合物电子薄膜与器件奠定了基础。 1. CIGS薄膜太阳电池的研究 1.1 吸收层CIGS薄膜的研究 CIGS薄膜是电池的核心材料，电池性能对其原子配比及晶格匹配不当而产生的结构缺陷十分敏感,因而 在制备过程中需要控制的因素较多。目前高效率CIGS太阳电池的制备工艺一般都采用多元共蒸发法，但对 于大面积工业化制备难度很大。根据现有技术水平，采用溅射金属预置层可以实现大面积均匀沉积，通过 精确控制薄膜厚度来达到元素的合适配比，在后硒化过程中，通过调节衬底温度和硒气氛的压强，以此提 ∗ 国家863 高技术发展项目（2004AA513020）资助 1 高制备大面积吸收层的均匀性和工艺重复性。 1.1.1 两种工艺路线对比性研究 采取“金属预置层后硒化沉积CIG