新型TiO2基透明导电薄膜的研究进展.pdfVIP

198 助 锨 财 料 2010年论文集 新型Ti02基透明导电薄膜研究进展‘ 滕繁，刘 涌，宋晨路，韩高荣 (浙江大学材料科学与工程学系，浙江杭州310027) 摘要： TiO。基透明导电薄膜是近些年开始研究的 剂、自清洁和防雾玻璃涂层等方面有着较多的研究。 一种新型的TCO材料，从不同的掺杂元素、制备方法 TiO：是一种宽禁带半导体材料，符合TCO材料对带 等方面归纳和分析了TiO：基透明导电薄膜的研究进 禁宽度的基本要求，它在可见光区域以及近红外区是 展和趋势，评述了现有研究中存在的问题和不足，并对 透明的，相比于目前几种较为成熟的TCO薄膜，TiO。 Ti02基透明导电薄膜今后的研究和发展提出一些建本身性能上存在着优势，如果对TiO。进行掺杂从而改 议。 善其综合光电性能，它将有望成为新一代的TCO材 关键词： 二氧化钛；透明导电氧化物；薄膜；掺杂 料。本文将从掺杂元素、制备方法等方面对新型掺杂 中图分类号：TN304 文献标识码：A TiO：基TCo薄膜的研究现状做系统的阐述。 1 引 言 2 掺杂元素 Conductive 透明导电氧化物薄膜(Transparent 目前，TCO薄膜的普遍光电性能水平为500nm Oxide，TCo)是一类将光学透明性和导电性结合为一膜厚时电阻率达到10-4Q·cm数量级，可见光透过率 S-1[1]， 体的光电薄膜材料，作为TCO材料必须具有以下几项 大于80％，载流子迁移率一般达到40cm2V-1 基本性质[1】：具有较大的禁带宽度(E3．OeV)，较低成熟的ITO薄膜技术能将薄膜的电阻率做到(1～3) 的直流电阻率(』D一10_5～101Q·cm)，较高的可见光 杂的TiO：薄膜室温电阻率约为10_1Q·cm[6J，比 透射率(L。80％)，紫外区有截止特征，红外区有较 ITO薄膜的电阻率高很多，因此有研究者希望通过对 高的反射率，在短波频下(6．5～13GHz)表现出较强的 反射性。目前TCO材料的种类有很多。其体系主要包 TiO：薄膜进行掺杂来降低其电阻率。目前对TiO：薄 I 括Sn02、In203、ZnO、Cd2InO,及其掺杂体系In203 膜进行掺杂的元素也有很多，如掺F、S、N等元素来研 l Sn(ITO)、ZnO 究薄膜的光催化特性，掺杂Fe、Co等磁性金属元素来 Al(AZO)、Sn02：Sb(ATO)、Sn02 l 研究薄膜的磁学性能，而对掺杂的TiOz薄膜的光电性 F(FTO)等。近年来对ITO、AZ0薄膜的研究比较 多，特别是IT0薄膜，它是目前研究和应用最为广泛， 能研究得比较少。下面主要介绍一下近些年对TiO。 生产工艺比较成熟，已实现产业化的一类TCO薄膜材 薄膜进行掺杂来研究其光电性能的元素种类。 料，但是In是稀有元素，价格昂贵。虽然AZ0薄膜原2．1铌(Nb)掺杂 料便宜，无毒无害，经过多年研究其性能也接近ITo Nb元素是最近几年研究得比较多的一种Ti0。 薄膜。但目前的实际生产工艺还存在一些问题，如工艺 的重复性不好，大面积成膜技术设备不过关，薄膜的厚 rubayashi 度和成分均匀性不好，不能实现产业化，因此对TCO 薄膜材料还有待继续深人的研究。 二氧化钛(TiO：)因其无毒、无污染、廉价、化学稳要研究了Nb元素的摩尔掺杂量z对薄膜光电性能的 定性好、氧化活性较高、可循环利用等