应变硅结构的高分辨X射线衍射术与其图谱分析.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 应变硅结构的高分辨X射线衍射术及其图谱分析 马通达1一，屠海令1，邵贝羚2，刘安生2，胡广勇2 1t北京有色金属研究总院，国家半导体材料工程研究中心，北京100088 2．北京有色金属研究总院，国家有色金属及电子材料分析检测中心，北京100088 摘要：本文运用高分辨x射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体 了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异 质外延生长的重要参数。TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息。高分辨率TAD 倒易空间图谱可实现对应变si层应变量的测定。 关键词：TAD，DCD，晶体结构，应变si l引言 将表面平滑且应变弛豫的Sil一，Ge；合金层作为“虚衬底”(virtualsubstrate)，在其 上可以获得使载流子迁移率增加的应变Si层…。符合上述条件的sihGe，“虚衬底”既可 衬底，高温退火可使其绝缘层呈现粘滞性，从而保证失配应变从sihGe，合金层向SOI项 层Si传递，实现SihGe，层低位错密度下的应变弛豫。然而，高温退火容易导致位错生成 和其它相关的退化机制，诸如Ge偏析、表面粗糙化等，所以降低退火温度对于高质量 Si，一；Ge，层的获得是有益的。 目前对半导体多层膜的分析普遍采用DCD技术…，通过实验和理论模拟分析，能够较 精确地测定多层膜和超晶格的成分、厚度、失配、界面弛豫及弯曲等结构参数。但DCD使 用的是开放式探测器，接受样品各个方向散射的强度，也即沿Ewald球的积分强度，所以 DCD摇摆曲线记录的是样品在Bragg角附近散射的积分强度信息。而TAD则在样品和探测 器之间增加了一个具有独自转轴并能与探测器一起转动的第三晶体，即分析晶体。分析晶 体大大减小了探测器的接收角，大幅度提高了衍射峰的分辨率’8。，克服了DCD的不足，排 除了其它因素的影响而突出样品的信息。Chu及其合作者旧。利用高分辨TAD对绝缘体上SiGe 异质结构倒易空间图谱中嵌镶块引入的倒易阵点扩展进行了解释。Huang等人∞j成功的运 用TAD表征了应变传递，并精确测定了Ge的组分和SiGe合金的弛豫度。 异质结构，随后进行了原位低温热处理。运用高分辨TAD结合DCD技术(TAD-DCD)和TAD 图谱对该结构进行了表征，得到了丰富的结构信息，包括：衬底与外延层、外延层与外延 层之间的取向关系，Si盖帽层的应变，以及SiGe合金层的成分及其应变弛豫度等，为进 一步改进生长工艺提供了可靠的基础。 2实验 样品采用BESOI作为衬底材料，项层是Si(001)。利用UHV／CVD在此衬底上连续外 延生长Si／SiGe／Si。进行外延生长前，首先将BESOI衬底置于沸腾的H。SO。：H。0。=4：1溶 液中进行15分钟化学清洗，然后在去离子水中漂洗10分钟。将样品放入装样室前，在10％ HF溶液中浸泡30秒去除表面氧化膜。当外延生长系统真空达到10’5Pa时，将样品推入生 长室。生长室由10001／s的涡轮分子泵抽真空，基底真空度可达5xlO一7Pa，外延生长过 程中生长室压力低于0．13Pa。当真空达到基底真空度后，将样品快速升温至750-8000C进 行表面高温去氧．保温5分钟后降至生长温度，对于Si是600。C，SiGe是550。C。外延 生长的气体源采用SiH。和被Hz稀释为15％的GeH。，生长时流速分别为lOscam和2sacm。 最终得到的异质结构自上而下依次为：Si帽层(20nm)、SiGe合金层(35nm)、Si缓 85 冲层(15nm)以及SOI衬底(顶层sirim)。外延生长完成后，对样品进行750℃30 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 分钟的原位低温热处理。 1 X’Pert 高分辨衍射测量在Phiips X射线衍射仪上进行，经四晶体Ge(220)单色器 的cuK。，(入=1．54056A)射线作为辐射源，角分辨率12弧秒。进行TAD时，探测器前需 kV，工作电流40mA。环境温度 要安装三次反射Ge(220)分析晶体或狭缝。工作电压40 变化