掺锰对%5bBi0.5(Na1-x+Agx)0.5%5d1-yBayTiO3系陶瓷压电与介电性能的影响.pdfVIP

掺锰对%5bBi0.5(Na1-x+Agx)0.5%5d1-yBayTiO3系陶瓷压电与介电性能的影响.pdf

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2005年10月 四川大学学报(自然秤学版) OCt2005 dSichuan ScienceFditlotl) Vol、42Issue2 第42巷增刊2 lournal University(Natural 文章编号:0490—6756(2005)z2—0354—04 系陶瓷压电和介电性能的影响 吴浪”,肖定全,赁敦敏,朱建国,余萍,廖运文,王孝平 (四川大学材料科学与T程学院,成都610064) wt%)掺杂[Bio 摘要:利用传统陶瓷工艺制备了Mn02(0--0.4 s(Nal一。Ag。)o5]1。BasTi03(z =0 06.Y=0.06)无铅压电陶瓷,研究了掺杂对该体系陶瓷的结构、压电和介电性能的影响 结果表明,陶瓷的压电常数d”随锰掺杂量增加而减小;适量锰离子的引入可降低介电损耗 4wt%时,陶瓷的压电性能大幅度降低.锰含 t98,提高机械品质因数0。.当锰掺杂量达到0 量为0,15m%时该体系陶瓷具有较好的性能:压电常数d33=160pC/N,机电耦舍系数k= 0% 34%,k:=52%,介电常数e,=804,机械品质因数Q。=163,介电损耗t96=2 关键词:钛酸铋钠;钛酸钡;[Bio5(Nal一。A酞)o5]1_,B~Ti03;掺锰;元铅压电陶瓷 282 文献标识码:A 中图分类号:TM 引言 压电陶瓷在信息的检测、转换、处理、显示和存储等方面具有广泛的应用,是一类重要的、国际竞争极 瓷应用领域占据着主导地位.然而,“环境材料”概念的提出对PZT基陶瓷的应用提出了新的挑战,因为 在其制备、使用及废弃后处理过程中都会对人类和生态环境造成危害.因此,研究和开发环境协调性压电 陶瓷是一项紧迫的、具有重大社会经济意义的课题”一” 最近,我们研究组报道了一种新型的[‰5(Nal一。A&)o 陶瓷体系【5],并对其压电、介电等性能进行了初步的研究,在。=0.06,y=006处,获得压电常数d33的 最大值168 pC/N;掺入锰离子可同时提高其机械品质因数Q。和降低介电损耗tga.然而,对于陶瓷性能 随着掺锰的量的变化关系还有待进一步的研究.因此,通过对BNBT6—6Ag压电陶瓷掺人O~O.4wt%的 Mn02,研究掺杂对该体系陶瓷的结构、压电和介电性能的影响,以改善BNBTy-xAg系陶瓷的性能. 2实验过程 按照化学式[Bio5(Nao蚪Ago06)o5]o94Bao 量,其中z分别为0,0.1,0.15,0.25和0 研磨,加入质量分数为10wt%聚乙烯醇水溶液作为黏结荆造粒;在一定压力下压制成直径t3~14ram,厚 网印刷机涂上银浆,在600~700℃烧银获得被上银电极的样品;并在60~100℃的硅油中极化,极化电压 收稿日期:2005,09—15 基金项目:国家自然科学基金重大国际合作项目,N教育部博士点基金项目(20030610035) 作者简介:吴浪(1981一),男.2003级硕士研究生 oom x通讯联系人E-maihlangwu@163 增刊2 昊浪等:掺锰对[Bis(Na{_,Ag.,)o 355 5】i一,BayTi03 3 5~40kV/mm,极化时间15--30min.放置一昼夜后,测量相关性能. 学院声学研究所)测量陶瓷的压电常数d33利用谐振.反谐振方法通过HP4194A阻抗分析仪测量陶瓷样 品的谐振频率、反谐振频率以及相应的阻抗{z1.得出陶瓷的机电耦合系数女。,k,和机械品质因素Q。;用 电镜观察陶瓷样品的表面彤貌.采用HM2672A绝缘电阻

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