多晶硅薄膜材料的准分子激光烧结制备和性能的研究.pdfVIP

多晶硅薄膜材料的准分子激光烧结制备与性能研究‘ 邱法斌”，张玉1，骆文生1，刘传珍一，荆海‘，黄锡珉。 (1．中科院长春光学精密机械与钧理研究所，吉林长春130022；2．吉林大学电子工程系．吉林长春t30023) PECVD法．以Sit{,为源．在250℃的温度条件下沉 接要：在袭璃村鹿上采用PECVD法制备a-Si：H 薄蕨基础上，采用308nmXeCl教光器时所●4备的薄积出厚度为100rim左右的a-Si：H薄膜．为提商所制 膜进行了激光晶化烧蛄，利用Ⅺ∞，Ramem、SEM备多晶Si薄膜的均匀性，抑制氢腐蚀t在激光扫描 置电荦性fB洲诚等方法对所制备多晶硅薄腱材料的 烧结前，首先将薄膜材料在400℃于真空中退火烧结 蛄构与性tB进行了研究． 4h． 关t词：激光髓结；多I■硅蕾囊；制鲁；性能 在准分子澈光烧结中．所采用的X,eCI激光器的 主要技术指标为．波长308rim·输出储量20¨500mJ· 1引言 频串]一J00H．z，脉冲宽度为2$ns．激光器输出光束 经匀光系统以后在薄麟表面形成50nan×O．6ram的 近年来，由于太面积均匀多晶硅薄膜材料在薄 光斑．其能量分布非均匀性小于5％·澈光烧结时． 膜晶体警、太阳能电池、图像传感器、微电子机械 样品室真空度为3×10Pe· 系统等技术顿域中呈现出越来越重要的应用价值， 因此，该类材料的制备与性能研究引起了许多学者 的关注与浓厚辫趣，成为当前半导体技术领域中的 一个研究热点J】q． 目前出现的多晶硅薄膜材料的制备方}蠹主要有 常压化学汽相沉积法、低压及超低压化学汽相沉积 法、撒区熔炼法、周相晶化法、金属诱导j击、受激 田l多重硅尊赓的堆分手囊光扫描烧结示意田 准分子激光烧结晶化法、催化化学汽相沉积法、微 l thin poly-Si FigLaser∞锄n主鸥diagramfor班印曲g 五ha 波诱导烧结或微波诱导化学汽相沉积j盅等l“】·其 tim-a-Si 中．受激椎分子激光烧结晶化法由于其具有晶化烧 激光烧塘扫描过程如图l所示，脉冲摄串为扯 结时的衬底沮度低、可以期望大面积均匀制备、空 时的扫描重叠事为94％．实验中重点考察了激光能 间选择性好、掺杂效率和电子迁移率高-成为当前 量密度、脉冲期牢、衬底温度对所制备po]y-Si薄膜 多晶硅薄膜材料制备的主漉技术方浩· 材料结构与电学性能的影响· 本文中以Comir,．gT0J2玻璃为衬鹰．在采用 PECVD法制备非晶硅(a-Si．1-])薄膜材料的基础上， 3结果与讨论 采用308nmXeCl受激准分子激光器进行激光晶化烧 结．并划用各种分析测试手段塘舍电学性能测试· 图2为经不同激光能量密度扫描后所获得薄膜 对所制备多晶硅薄膜材料的结构与电学性能进行了 材料的Ⅺ∞衍射结果．实验中所使用的衬底温度为 研究．以期为大面积、均匀、连续多晶硅薄膜材料 400℃、背景真空度为3．2×104pa，激光脉冲期率为 311z· 的制备爰其在多晶硅(Poly-Si)11呵AMLCD中的 应用奠定良好基础。 从田2中可以看出，在所使用的澈光能量密度 范围内．厚度为t吣m的wSi：H薄虞经澉光晶化烧 2实验