高压晶体化学初探--SiO2多形在高压条件下中氧和硅的离子半径的计算.pdfVIP

高压晶体化学初探+ 一一Si02多形在高压条件下中氧和硅的离子半径的计算 施倪承1，李国武，熊明，马酷生 中国地质大学(北京)，北京，100083 高压晶体化学研究主要来自如下两个学术领域：1人工及自然的高压合成物及高压矿 物。由于高温高压实验设备及技术的进展，目前实验室己能模拟地球内部深至地核的温度和 压力条件，即4000。C及400GPa。天然的高压矿物主要来自陨石、月岩及地外物质；2计算 晶体学，其中密度函数理论是在量子化学基础上发展起来的一种计算分子结构的方法，计算 晶体学由于不受实验条件及环境的限制因而可将它应用于行星及太阳系系统。 在温度和压力不断增加的情况下物质如何相应地发生变化是当前化学家和地球物理学 的容积模量与摩尔体积的关系。它们的关系可表述为： 容积模量×摩尔体积=常数。 运用上述公式Hazen和Prcwitt(1979)在氧化物及硅酸盐中提出了如下经验公式： l(pd3／Zo=常数，其中Z。阳离子有效电荷，d是阳离子．阴离子间距，l(p是多面体的容积模量。 根据实验和计算Hazen和Prewitt给出了大约数十种氧化物和硅酸盐的多面体容积模量、键 长及键参数的数据。 Charles T．Prewitt还进一步说明高压下Si04中氧的离子半径R0减小的速率比硅离子半 径Rsi减小的速率快，从而导致Rsi／Ro的值增大。他的这个叙述实际上是说明在压力增加的 情况下硅离子与氧离子的半径都在不断地缩小之中，只是硅离子半径缩小的速率小于氧离子 半径减小的速率而己。 笔者认为阴离子与阳离子相比较而言，往往在电子排布轨道和形状、轨道能级高低、电 子亲合能及负电性等方面具有明显的不同，导致压力增高时阴离子或阳离子的离子半径的变 化会有所不同。 在地幔的条件随着压力的增加氧化物及硅酸盐的晶体结构中会发生阳离子在配位多面 空隙间的迁移现象。即阳离子随压力增加从配位数低的多面体迁移至配位数高的多面体之 事本文为国家自然科学基金(No资助项目。 194 GPa时．石英 中。冉地壳条件下Si02均蚪石英的物{}I存在．在地幔条件下当压力增加毫8 物相即转变为斯石英晶体结构(幽11此时阳离子硅即从四面体空隙迁移车八面体宅隙之中。 表1：高压下石英多形中硅和氧的离了半径计算结果 n右英 柯石英 斯石英 黄铁矿型 物相名称 f,tPb02型Si02 quartz coesite $i02 m力fGPa) 0 443 4917 443 5．4052 70625 4998 密度∞1 氧离子’|径(R曲 l 305 si_O键陡 l 61l l 749 l820 硅离r半径rRsl) 0330 硅离子捌位鼓 6 6 目 瞳 图Ji英(左)厦斯i《(右)的品体结构图。 实验鞋明．当压力增加到8GPa时阳离子硅会发生从硅氧四面体空隙向硅瓠八面体空 肫迁移的觋聋，