化学腐蚀对硅片力学性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 22卷 第4期 黄 石 理 工 学 院 学 报 V0122 No．4 2006年7月 JOURNALOFHUANGSHIINSTITUTEOFTECHNOLOGY Jul 2006 文章编号 ：1008—8245(2006)04—0021—03 化学腐蚀对硅片力学性能的影响 齐海兵 胡 蔷 (黄石理工学院电气与电子信息工程学院，湖北 黄石435003) 摘 要 ：分析了电子工业对半导体硅材料的新要求。通过对不同表面状态的硅片力学性能的测试，得出化 学腐蚀在改善硅片力学性能方面具有重要作用，适当的化学腐蚀工艺可以大幅减少硅片制备过程中的不 良 率。 关键词 ：硅片；力学性能；化学腐蚀 中图分类号：TB304 文献标识码 ：B ChemicalCorrosion on theM echanical PropertyofSiliconW afer QiHaibing HuQiang (SchoolofElectricalandElectronicInformationEngineering，HuangshiInstituteofTcehnology，HuangshiHubei435003) Abstract：Thispaperanalyzesthenew demna dsofelectronicindustryforsemiconductorSimateria1．Bytestingthe mechnaical characteristicsofdifferentsurfaceofsiliconwafer，chemical corrosionisfoundtobeimportanttoimprove themechnaical chraacteristicofSi．ItcanlragelyreducethedefectratioinIC mnaufacturing． Keywords：siliconwafer；mcehnaical characteristic；chemi cal corrosion 在当今全球超过 2千亿美元 的半导体市场 术和加工设备 的要求之外 ，对硅材料也提出了更 中，95％以上的半导体器件 和 99％以上的大规模 新和更高的要求 ¨J。 集成 电路 (LSI)都是用高纯优质 的硅抛光片和外 (1)对硅片表面附着粒子及微量杂质的要求。 延片制作的。 由于半导体硅材料具有丰 富 的资 随着集成电路 的集成度不 断提高，其加工线宽也 源、优质的特性 、日臻完善的工艺以及广泛的用途 逐步缩小 ，因此 ，对硅片的加工、清洗、包装 、储运 等综合优势，决定 了其在当代 电子工业 中成为应 等工作提出了更高的新要求。对 于兆位级器件 ， 用最多的半导体材料 ，而且未来 30～50年 内，硅 0．10m 的微粒都可能造成器件失效。亚微米级 片仍将是LSI工业最基本 和最重要 的功能材料 。 器件要求 0．Itxm 的微粒降到 10个／片以下，同时 本文在指出当代电子工业对半导体硅材料提出新 要求各种金属杂质如 Fe、Cu、Cr、Ni、AI、Na等都 要求的同时，提出通过化学腐蚀方法可 以显著提 要求控制在 目前分析技术的检测极限 以下 (约为 高硅片的力学性能，并进行了实验验证和机理分 IxIOl0原子 ／cm )。 析 。 (2)对硅片表面平整度 、应力和机械强度的要 求