射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨.pdfVIP

维普资讯 第20卷 第 6期 龙岩师专学报 2002年 12月 Vo1．20 No：6 Journal of Longyan Teachers College Dec．2002 射 频 磁 控 溅 射 二 氧 化 硅 薄 膜 的 工 艺 探 讨 叶光 ，林志贤，郭太 良 摘要：介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射 SiO2薄膜的工艺技术，给出了薄膜淀积速率，膜 内组分与工艺条件特别 是溅射气压的关系。实验证 明，和其他镀膜技术相比，射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好 的 SiO：薄膜 。 关键词：磁控溅射 ；SiO：薄膜；淀积速率 中图分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：1672—044X(2002)06—0044—02 l 引言 裂产生电离。这样 本来需要在 高温下才能进行的化学反应 ， 二氧化硅 (SiO：)薄膜是一种性能优 良，应用广泛 的介质 当处于等离子场 中时，在较低的温度下就能实现 131。PECVD 薄膜 。随着微 电子技术和集成电路 的快速发展 ，SiO：薄膜 由 制备 SiO：薄膜的过程很复杂，是一种无机聚合反应，其化学 于其稳定的化学性质和电绝缘性质，在集成器件中作为表面 反 应式为 ： 钝化膜和多层布线层 间介质膜 ，更显示 出它的重要地位 ，SiO： SjH4+2N2O— 一 SiO2+2N2+2H2 薄膜 的制备工艺也成为集成 电路制造技术 中的关键工艺之 这种方法的特点是可 以低温成膜 ，生长速率快 ，可避免 -- II 。 采用射频磁控溅射工艺制备 SiO：薄膜 ，工艺简单 ，所需 普通 CVD由于水蒸气造成的针孔等缺陷；缺点是成膜均匀性 基片衬底温度低 ，薄膜厚度 的可控性、重复性及均匀性与其 和重复性不稳定，以及气体反应不充分易生成粉尘。 他制备方法相 比有 明显的改善。同时这种技术也能满足大规 2．3 射频磁控溅射 SiO：薄膜的基本原理 模集成 电路 的需要 ，并且 由于整个制备系统是一个无油真空 溅射的一般原理是将衬底基片正对着靶面，在靶和衬底 系统，也避免了因粉尘等玷污所造成 的成品率的降低 。 之间充人惰性气体，一般为氩气 (Ar)，在 电场作用下使气体 2 SiO：薄膜的制备方法及原理 辉光放电而电离。大量的气体离子在 电场 中得到加速并轰击 目前制备 SiO：薄膜 的方法很 多 ．主要有氧化生长法 、化 靶材表面 ，使靶材材料 以原子状态脱离靶面飞溅 出来 。淀积 学气相生长法 以及 以电子束蒸发和射频溅射为主 的真空淀 到衬底基片上形成薄膜。 积法等 2【I。每种方法各有特点．射频磁控溅射制备 SiO：薄膜 射频磁控溅射 的特点是能在较低 的功率和气压下稳定 是近年来迅速发展起来并得到广泛运用 的薄膜制备技术 。 地工作 ，而且可以溅射导体材料 以及介质材料。因此这种工 2．1 氧化生长 SiO：薄膜 的基本原理 艺可用固态电介质作为源材料，在制备介质薄膜技术中占有 将硅片放入高温氧化炉中，其表面与氧化剂发生反应而 重要的位置。 生成一层 SiO：薄膜 ，基本反应式是 ： 射频溅射所加的交变 电场使质量很小的电子很容易从 Si+O2盟 SiO2 射频场中吸收能量，并在场内作来回振荡运动。这