以创新的IGBT技术合理的器件选型和有效的系统手段优化变频器设计.pdfVIP

以创新的 IGBT 技术、合理的器件选型和 有效的系统手段优化变频器设计 关键字： IGBT 变频器设计 全球对于节能和绿色能源的需求使得马达变频驱动在工业应用领域不断增长，甚 至还扩展到民用产品和汽车领域。因此在过去几年，市场对变频器的需求量和相 应的 产量一直在持续增长。随着产量的不断扩大和技术趋向成熟，变频器市场 竞争也日益激烈，对产品性价比的要求不断提高。 标准的三相交流驱动变频器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 来实现主电路中的 6 个开关，现在除少量小功率、低成本变频器采用分立 IGBT 器件外，一般工业变 频器均采用模块化 IGBT(包括 IPM)。模块化概念为用 户提供了一个采用绝缘封 装且经过检验的功率开关组件，从而减轻了设计工作量，改进系统性能，并提高 了变频器的功率等级。 但即便使用 IGBT 模块，设计上的挑战依然存在。由于 IGBT 模块的恶劣工作条件 (在高压和高温下对大电流进行开关控制)和半导体器件固有弱点，设计工程师必 须在确保 IGBT 模块能够安全工作的同时，发挥其最大性能以实现低成本设计。 本文将首先陈述变频器设计工程师所面临的主要挑战，然后介绍来自英飞凌科技 的创新 IGBT 芯片和封装技术及支持工具，并简要陈述这些解决方案的优点。 变频器设计面临的挑战 IGBT 能够安全运行是应用的首要要求。安全运行有两个基本的条件，超越这两 个条件运行可引起器件的永久性损坏，这两个条件分别是： 1) Vce ≤ Vces，其中Vce 是集电极-发射极瞬态电压，Vces 是 IGBT 芯片的阻 断电压(数据表上规定为 600V/1200V/1700V/3.3kV/6.5kV) 2) Tj ≤ Tvj,op,max，其中 Tj 是 IGBT 芯片的瞬时结温，Tvj,op,max(数据表上 规定为 125℃或 150℃)是进行开关工作时所允许的最大结温 要在应用中遵循这两个条件，必须先理解 Vce 和 Tj 是如何建立的。 首 先，在变频器电路结构中，IGBT 半桥由直流侧供电，直流侧电压 Vdc 几乎恒 定。受电路的电磁场和材料的影响，系统中存在分布电感(见图 1)，当 IGBT 以 di/dt 的速率将电流关断时，Vce 等于 Vdc 和一个感应电压 di/dt×Ls 之和，即 Vce = Vdc + di/dt×Ls，其中 Ls 是直流侧和相关半桥所形成的环路的分布电感。 Vdc 已由应用中的电源或电池电压固定，因此必须限制di/dt 和 Ls 来使 Vce ≤ Vces。 需要注意的是： * di/dt 是 IGBT 芯片的技术特性，它代表 IGBT 的 “软化度”，受门极电阻 Rg 的影响，但不完全受Rg 控制。 * Ls 可分成两个部分，一部分处于相关半桥之外 (Ls1)，另一部分处于半桥之内 (Ls2)。Ls1 由半桥外部连接到直流侧的布局结构决定，而Ls2 则由半桥内的布 局结构决定。 因此，设计工程师所面临的挑战之一是如何调节 IGBT 关断时的 di/dt，以及如 何减小 Ls。使用合适的缓冲电路能平衡Ls1，但对 Ls2 没有影响。 其 次，IGBT 的Tj 是由 IGBT 的功率损耗、热阻(结和环境之间)和环境温度决定 的，即Tj = P_loss×Rthja + Ta。如果将Rthja 分成 Rthjc(结壳之间)、Rthch(管 壳和散热器之间)和 Rthha(散热器和环境之间)三部分，就可以用三个公式来表 示 Tj，其中 Tc 是 IGBT 管壳的温度，Th 是散热器的温度： * Tj = P_loss×Rthjc + Tc * Tc = P_loss×Rthch + Th * Th = P_loss×Rthha + Ta 当变频器工作在正弦脉宽调制时，需用 IGBT 器件的热阻抗 (Zthjc)模型来描述其 总体热特性。Tj 是波动的，其波动幅度随变频器输出频率而变化。 但 在实际应用中 Tj 很难测量。为满足 Tj ≤ Tvj,op,max 同时最大限度发挥 IGBT 的能力，需要准确估算Tj，要估算 Tj 则首先须知道 IGBT 的功率损耗。IGBT 的 功率损耗由 IGBT 芯片 工艺、工作条件(即Vdc、输出电流、开关频率、调制深 度和负载功率因数)和门极电压、Rg 等门极驱动条件决定，所以在正弦脉宽调制 情况下 IGBT 功率损 耗的计算十分复杂。 因此，设计工程师面对的又一挑战是如何在考虑到各种相关条件情况下计算 IGBT 的功率损耗，并使用Zthjc 模型来估算 Tj 的瞬时值。 第 三，对于像电动汽车 (小汽车、公交车)这样的