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电力电子技术试题 1.请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和 GTR的复合管。 2.型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。 3.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型逆变器和 电流型逆变器。 4.直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。 由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。 5.按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。 6.有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管； 200表示表示200A，9表示900V。 7.为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 零电流开关 与 零电压开关 两大类。 8．直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有等频调宽控制；等宽调频控制；脉宽与频率同时控制三种。 9.由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为ITn等于1.57倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，则它允许的有效电流为 157安培。通常在选择晶闸管时还要留出1.5—2倍的裕量。 10.通常变流电路实现换流的方式有器件换流，电网换流，负载换流，强迫换流四种。 11.普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A，阴极K和门极G晶闸管的导通条件是 阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流IH时，导通的晶闸管关断 。 12.绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极作为栅极，以电力晶体管集电极和发射极复合而成。 13.单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。（电源相电压为U2） 14.要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60o小于120o的宽脉冲 触发；二是用脉冲前沿相差60o的双窄脉冲触发。 15.三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60度换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通120度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，一个是共阴极的，另一个是共阳极的元件，且要求不是不在同一桥臂上的两个元件。 16.从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。 17.实现有源逆为的条件为 要有一个直流逆变电源，它的极性方向与晶闸管的导通方向一致，其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压；逆变桥必须工作在β90o（即α90o）区间，使输出电压极性与整流时相反，才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。 18.有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送给电网的装置。19.给晶闸管阳极加上一定的正向电压；在门极加上正向门极电压，并形成足够的门极触发电流，晶闸管才能导通。 20.当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。 21.三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为150HZ；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为300HZ；这说明三相桥式全控整流桥电路的纹波系数比三相半波可控流电路 电路要小。 22.造成逆变失败的原因有 逆变桥晶闸管或元件损坏，供电电源缺相，逆变角太小，触发脉冲丢失或未按时到达等几种。 23.晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于掣住电流之前，如去掉触发脉冲，晶闸管又会关断。 24.三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0o-150o，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o-120o，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o-150o。 25.SPWM脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制，使输出端得到等高不等宽脉冲列来等效正弦波。 26.晶闸管的维持电流IH是指在标准室温温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。 28.三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60°换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通120度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，，一个是共阴极的，另一个是共阳极的元件，且要求不是在同一桥臂上的两个元件。 29.直流斩波