真空断路器向高电压等级发展.docVIP

/html/47/13447-50.html 真空断路器向高电压等级发展 上一篇 / 下一篇 ?2009-11-04 15:03:29 王季梅 刘志远 余小玲 (西安交通大学高电压真空断路器研究开发课题组 710049) 　　0 前言 　　高电压等级断路器在我国电力系统中可归纳为4个电压等级，126kV、252kV、550kV和1100kV。126kV和252kV称作高电压断路器，550kV称作超高压断路器和1100kV称作特高压断路器。由于SF6断路器具有特佳的开断性能，世界各国和我国均采用SF6断路器为主。自80年代以来，查明SF6气体的大量排放于大气中具有显著的温室效应，联合国京都会议已作出决定将于2030年起严禁使用，因此世界各国将采取其它措施解决，采用真空断路器为措施之一。我国西安高压电器研究所已开发研制真空断路器，此外，国内电器制造公司和我校等也积极展开这项研究工作。本文亦将介绍高压真空断路器方面的情况，供读者们参考。 　　1 126kV真空断路器 　　一、126kV真空断路器的基本结构 　　126kV高压真空断路器的结构如图1所示。图中1为真空灭弧室，装在绝缘陶瓷套内，图中未能示出真空灭弧室的实体。2为绝缘陶瓷支柱，固定在钢质横担架3上，4为三个永磁操动机构，分别装在每个绝缘陶瓷支柱的下端，通过永磁操动机构的控制箱5内的电子线路组成的控制电路来操动永磁操动机构，可进行三相真空灭弧室的同步合闸和同步分闸。钢质支撑档6与钢质横担架3以及钢质底座7焊接在一起，并固定在水泥墩上，撑住整个三相真空断路器。三个真空灭弧室中心线间开距为1700mm。三相真空断路器的总高度约为5m。 图1 126kV真空断路器的外形结构 　　1—在绝缘陶瓷套内有真空灭弧室; 2—绝缘陶瓷支柱; 　　3—钢质横担架;4—永磁操动机构;5—永磁操动机构的控制箱; 　　6—钢质支撑挡;7—钢质底座 　　二、126kV真空灭弧室电极的综合设计分析 　　(1)1/2匝线圈式纵向磁场电极结构的设计 　　图2所示为1/2匝线圈式纵向磁场电极的结构，从这个展开图中可看到，电流由上导电杆1顺着上托盘形线圈2(见图3)经上支撑盘3流向上导电片4，进入上触头片5，通过上触头片5和下触头片6空隙间的电弧，由下触头片6至导电片7经下支撑盘8和托盘形线圈9流出到下导电杆10。上支撑盘3和下支撑盘8的加入是用来加强托盘形线圈共同产生的纵向磁场的分布，如图4所示。磁场中心的计算最大值为60mT。根据涡流电磁场通过有限元计算分析，取触头直径为100mm，在开距为60mm下的实验证实能满足40kA的电流开断要求。 图2 1/2匝线圈式纵向磁场电极真空灭弧室的结构 　　1—上导电杆;2—上托盘形线圈;3—上支撑盘;4—上导电片;5—上触头;6—下触头;7—下导电片;8—下支撑盘; 　　9—下托盘形线圈;10—下导电杆 　　图3 托盘形线圈 　　1— 底盘;2—线圈;3—槽;4—焊点 　　(2)单匝线圈式纵向磁场电极结构的综合设计分析 　　图5所示为单匝线圈式纵向磁场电极的结构，从这个展开图中可以看到，电流由上导电杆1流入，进入上单匝线圈2(单匝线圈具体结构见图6)，然后达到上触头3，通过上触头片3和下触头片4空隙间的电弧后，从下触头片4接通下单匝线圈5到下导电杆6流出，由上所述的单匝线圈2和下单匝线圈5共同产生的纵向磁场的作用来满足开断电流的要求。所产生纵向磁场的磁通密度比1/2匝线圈式纵向磁场电极接近大一倍(最大值约为130mT)有利于增大开断电流值。单匝线圈式触头回路经过巧妙的设计电阻值为43μΩ，略大于1/2匝线圈式触头回路的电阻值(1/2匝线圈式触头回路电阻值为38μΩ)，在此情况下还进行三维涡流磁场的有限元的计算分析，总的情况优于1/2匝线圈式纵向磁场电极的设计。 图4 纵向磁场计算分布 图5 单匝线圈式纵向磁场 　　1— 上导电杆;2—上单匝线圈;3—上触头; 　　4—下触头;5—下单匝线圈;6—下导电杆 图6 单匝线圈 　　1—线圈本体;2—线圈上直臂;3—线圈下直臂 　　图7所示为触头片，触头片直径取100mm，触头片材料为CuCr25或CuCr30。 图7 触头片 　　1—触头片槽;2—触头片本体 　　三、用硅油或β-液作为真空灭弧室外绝缘的灌注技术 　　目前国内外生产的高压真空断路器均用SF6气体灌注在陶瓷套与真空灭弧室之间作为真空灭弧室的外绝缘，在国外已使用多年，效果比较满意。由于SF6气体具有严重的温室效应，因此本断路器改用了硅油或β液(本设计采用β液)来代替SF6气体。 　　硅油和β液的物理性能大致分述如下：硅油和β液外观为透明的液体，无悬浮物和沉淀物。粘度在25时为0.96~0.86kgf·s/dm2，含水量为30×10-4%，比热1.51kJ/(kG