非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真.pdfVIP

华 南 理 工 大 学 学 报 (自然 科 学 版 ) 第37卷 第 1期 JournalofSouthChinaUniversity ofTechnology VO1．37 NO．1 2009年 1月 (NaturalScienceEdition) January 2009 文章编号：1000-565X(2009)01—0015—04 非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真木 刘远 姚若河 李斌 (华南理工大学 电子与信息学院，广东 广州 510640) 摘 要：针对氢化非晶硅薄膜 晶体管中的输 出电流不饱和现象，采用半导体器件模拟软 件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真，并探讨 了不饱和输 出电流的产生机 理．仿真结果表明：在长沟道器件 中，随着漏源电压的增加，体电流的传输机制将转变为空 间电荷限制传导，此即为器件 中产生不饱和输 出电流的主要原 因；而在短沟道器件 中，还 需要 同时考虑漏致势垒降低效应的影响． 关键词：非晶硅；薄膜晶体管；不饱和输出电流；数值仿真；空间电荷限制传导；漏致势 垒降低 中图分类号：TN321 文献标识码：A 自20世纪 60年代 以来，非晶硅薄膜晶体管 100nm，n 区的初始掺杂浓度为 3．0×10”cm～．在 (a-Si：HT )作为开关矩阵及驱动电路，被广泛应 整个器件中，陷阱态由深能态和带尾态组成，这两种 用到主动式液晶显示 (AMLCD)、有机 电激光显示 能态的分布均与能量呈指数关系，且在空问上呈均 (OLED)等大屏显示领域 ．因此 ，对 a—si：HTFTr 匀分布．仿真时，深能态在导带底 的浓度为 1．0× 工作特性的研究一直受到国内外学者的关注． 10 ／(cm ·eV)，其特征温度为997K；带尾态在导带 当器件施加较高的栅源电压时，a—si：HTFT的 底的浓度为 2．2×10翌／(cm ·eV)，其特征温度为 输出电流呈现出不饱和的现象 4』，国内外学者对 243K 此进行了大量 的研究 ，但对产生这种现象的原 源极 非晶硅薄膜晶体管 漏极 因至今还没有定论． 文中采用半导体器件模拟软件Medici对 a．si： HTfTr的输 出电流进行了数值仿真，通过观察器件 中电流的流向、电流 一电压特性、体内电子以及表面 势的分布等 ，探讨了a-Si：HTFT中不饱和输 出电流 的产生机理． 1 器件结构及工艺参数 文中基于半导体器件模拟软件 Medici所建立 的a—Si：HTfTr的器件网格结构如图1所示．器件的 沟道长度L为0．5～100．0Ixm，栅绝缘层厚度 为 图 1 a—Si：HTFT的网格结构 250nnl，a—Si：H有源层厚度 i为50nm，n 层厚度为 Fig．1 Mesh structureofthea一 ：H TfTr 收稿妇期：2007—11—09 基金项目：国家 自然科学基金资助项 目；Cadence公司基金资助项 目 作者简介：刘远 (1984一)，男，博士生，主要从事非晶硅薄膜晶体管的建模与仿真研究．E ail：liu．yuanl@mail．scut．edu．cn 十通讯作者 ：姚若河(1961一)，男 ，教授，博士生导师，主要从事集成电路设计、计算微电子学和新型光电器件等研究．E-mail： phrhyao@ scut．edu．en 16 华 南 理 工 大 学 学 报 (自然 科 学版) 第 37卷