霍尔式传感器实验开发与应用.pdfVIP

霍尔式传感器实验开发与应用 李巧真 ，李伟锋 ，白瑞峰 ，李 刚。 (天津大学 1自动化学院；2精仪学院，天津 300072) 摘 要 ：针对半导体传感器技术特点，对霍尔传感器进行实验开发与应用研究。方法是 以CY一10型传感 器的实验仪为平 台，将线性半导体霍 尔片，置于环形磁钢构成 的梯度磁场 中，3-霍 尔元件通过恒定 电流 时，霍尔元件在梯度磁场 中上、下移动时，测得霍尔电势的大小，并获知霍尔元件的静态位移，通过设计 测量 电路 ，利用微机数据采集软件 ，对该传感器及整个测量系统的特性研究 ，作 出分析 ，从而探 索霍尔传 感器测量系统在 实际 中的应用。 关键词 ：霍尔片；传感器；测量 电路 ；数据采集 随着 电子技术 的飞速发展 ，使 以半导体 、电介 质 、铁 电体等为敏感材料 的固态传感器相继 问世。 它在力、磁 、热、光 、射线、气体 、湿度等 因素作 用下引起材料物理特性变化 ，通过检测其物理特性 变化 即反映被测参数值 。其特点是 ：基 于物性 变 化 ，没有相对运动部件 ，没有磨损 问题 ，结构 简 图 1 为霍尔效应原理图 单 ，小型轻量；感受外界信息灵活 ，动态响应好 ，输 出为电量 ；由于采用半导体为敏感材料 ，容易实现传 设 电子以相同的速度 U按 图示方 向运动 ，在磁 感器集成化、智能化；功耗低，安全可靠。因为固态 感应强度 B的磁场作用下，并设其正电荷所受洛仑 传感器输 出特性一般 为非线性 ，所 以线性 范 围较 兹力方向为正 ，则 电子受到的洛仑兹力可用式 (1 窄，输 出特性易受温度影响而产生漂移 ，在线性度 — 1)表示 要求高的场合采用线性化电路及温度补偿措施 ”。。 fL=一evB (1) 虽然固体传感器存在一些 问题，但是它仍代表 式中：V一 半导体中电子速度 ； 着 目前传感器发展的方 向。尤其是随着大规模集成 B一 磁场 的磁感应强度 ； 电路技术不断发展 ，固态传感器技术也 日臻完善 。 E一 电子 电量 。 本文研究和探讨 的霍尔传感器就是 固态传感器 。 与此 同时，霍尔 电场作用于电子的电场力 可 表示 为 1 霍尔元件 (-e) (_EH)=E (2) 1．1 霍 尔效应 图 1为霍尔效应 原理 图。在与磁场垂直 的半导 式 中：一EH一 指 电场方 向与所规定正方向相反 ； 体薄片上通 以电流 I，假设载流子为 电子 (N 型半 B一 霍尔元件的宽度 。 当达到动态平衡时，二力代数和为零，即fL+ 导体材料)，它沿与 电流 I相反的方 向运动 ，由于洛 仑兹力 f的作用 ，电子将 向一侧偏转 (如图1中虚 f=0，于是得 线方向)，并使该侧形成 电子 的积累，而另一侧形 VB： (3) 成正电荷积累，于是元件 的横 向便形成 了电场 。 又 因为 ：J= 一nev 该 电场阻止 电子继续 向侧面偏移 ，当电子所受到的 式 中：j一 电流密度 ； 电场力 fE与洛仑兹力 f．．相等时，电子的积累达到动 n一 单位体积 中的电子数 ，负