超净高纯试剂现状与制备.pdfVIP

超净高纯试剂的现状与制各 穆启道 (北京科华微电子材料有限公司 北京化学试剂研究所北京100022) 摘要：本文根据我国微电子技术发展对超净高纯试剂的要求，阐述了国内外超净高纯试剂的现状、 应用及制备技术的发展方向。 关键词：微电子技术；超净高纯试剂；应用：制备 一．国内外微电子微细加工技术发展现状 微细加工技术主要是指实现图形转移整个过程中的处理技术，也就是将掩膜母版上的几何图形 先转移到基片表面的光刻胶胶膜上，然后再通过从曝光到蚀刻等一系列处理技术把光刻胶膜上的图 像复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理过程。作为微电子技术核心的集成电路制作技 术是电子工业最重要的基础，其发展之快，更新之速，是其它任何产业都无可比拟的。特别是九十 年代末以来，竞争更为激烈，发展速度更为加快。 ㈠国际上微电子微细加工技术发展现状 的竞争更为激烈，发展速度更为加快，尤以美国和日本更为突出。如美国的Intel公司99年推出的 PentiumI[Katmai芯片、Pentium CPIJ芯片采用的则均是 0．25Pm技术，而Intel公司于2001年第二季度推出的Tuaiut／n及Northwood 时生产线、共有7个国家建有20条12时生产线。 利浦、意法半导体、美国的摩托罗拉、巨积及日本的NEC均与台积电达成伙伴关系，共同开发0．09Pm u 工艺技术。韩国的三星已于2002年成功用0．09 进展。 ㈢国内微电子微细加工技术发展现状 91 设2条12英寸的集成电路生产线。此外，和舰计划在苏州建设一条12英习的集成电路生产线，华虹NEC、 条12英寸的集成电路生产线，产能将达到15万片／月左右。但国内建设的6时及以E生产线多为外资 芯片制造技术从微米、亚微米并向深亚微米方向发展，目前国内己经出现了集成电路产品“多代同 堂”的局面。 二．超净高纯试剂的应用 超净高纯试剂是集成电路和分立器件制作过程中的关键性基础材料，其性能和质量直接影响芯 片几何图形的能否实现，因此可以说这些材料是直接制约微电子技术发展的最为关键的材料。而且 随着集成电路的不断发展，超净高纯试剂必须与之同步发展，一代的微细加工技术需要～代的超净 高纯试剂与之配套，不断的更新换代，才能适应集成电路生产化的需要，从而保证微细加工技术的 实现。超净高纯试剂及与Ic规模的关系见表1。 表l Ic规模及与超净高纯试剂发展的关系 年代 86年89年92年95年 98年2001矩2004经2007每 2010钜 Ic集成度 lM 4M 16M64^l256M1G 46 16G 64G 技术水平，№ 1．2 0．8 O．5 0．350．25O．18 0．13 0．10 007 金属杂质，ppb 10 1 O．1 0．01 控制粒径№ ≥O．5 ≥0．5 ≥O．2 t0．I 颗粒，+／mL ≤25 ≤5 相应试剂级别 BV一ⅡI Bv一Ⅳ BV—V C7 C8 C12 s脚I标准 (Grades) (Grade2)(Orade3) (Grade4) 集成电路前工序生产所用的微电子化工材料约占集成电路材料总成本的15％左右，其中超净高 纯试剂约占5％。超净高纯试剂又称超净高纯试剂(Process 立器件等制作过程中不可缺少的关键性基础化工材料之一。主要有两个作用：～是用于基片的清洗，