ULSI亚0.1μm器件对超浅结需求和相关离子掺杂新技术发展.pdfVIP

2001年10月 第十一届全国电子束·离子柬·光子束学术年会 日川．成都 ULSI亚O．1p,m器件对超浅结 的需求和相关离子掺杂新技术的发展 何进，张兴，黄如，杨岩 (北京大学微电子学研究所，北京100871) 摘要：ULSI的飞速发展对器件加工技术提出了众多特殊要求．其中，MOS器件特征尺寸进 八亚0．1¨m领域时亚50nm超浅结掺杂区的形成就是一个重要的挑战．本文论述了深亚和超 深亚微米MOS器件对超浅结离子柬掺杂技术的特殊要求和发展超浅结的主要动力，介绍了 目前超浅结离子掺杂技术的最新发展并对其前景进行了展望。 关键词：深亚和超深亚微米技术：MOS器件；超浅结；离子掺杂 1引言 More提出了著名的More定律，即芯片上的晶体管数量每 1965年，美国Fairchild公司的Gordon 18个月或2年将翻倍。近40年来，Ic工业之所以按照这个定律以惊人的速度发展从而使人类社会进 流穿通和HCE等成为ULSI的严重限制性因素，抑制它们需要人们对源漏掺杂和体内、沟道内的掺杂 所示。 图1 MOSFET器件和相关的特殊局部掺杂区 目前，体内和沟道掺杂需要的中等能量和犬角度的传统离子注入技术己基本成熟并已经广泛应用 MOS器件，常规的离子注入技术虽然已有SPE， 于现代CMOS集成电路的加工。但是，对旺0．1p,m 新离子注入技术正处在研究之中，它是一个待深入发展的领域。可啦说，超浅的源和漏结是高性能深 距和超深亚微米MOS器件进入市场的关键。基于此，本文论述了深亚和超深亚微米MOS器件对超浅 结的特殊要求和发展超浅结的主要动力，介绍了目前超浅结离子掺杂技术的最新发展和各自的优缺 第11届全国三束会议(四川·成都) 2001年10月 点。从中人们可以对其应用前景进行一个基本的展望。 2发展超浅结离子掺杂技术的动力 超浅结技术之所以是超深亚微米MOS器件的关键是因为它直接关系到器件SCE效应，源漏穿通， 驱动电流和漏电流等电特性和掺杂的激活、工艺的集成、深度的控制和损伤的减少等工艺需求。 2．1SCE效应和源漏结深 MOS器件的开关特性由阚值电压来控制。当有效沟道减小后，电荷分享和漏致势垒降低效应将 使闽值电压趋于零而使器件失去可控性。这就是通常的SCE效应。 ¨ ¨ ¨ ¨ 3蓍 ¨ 呲 ¨ 饰”州kn曲．Ll口m) 国岫voltage‘v曩} 图2 MOSFET器件SCE效应 X。e…0”。。可以看出：随结深的减小，SCE效应可减缓。 SCE效应经验数学表达式为AV,。e-LI 2．2源漏穿通 源漏穿通即沟道区的源区和漏区的耗尽层相互交叠在一起-其结果是降低了沟道区电流的势垒， 从而为电流的流动提供了一个通道，形成关态的穿通电流。当器件的尺寸进一步减小而沟道的掺杂不 变时．源漏穿通将使器件失去栅控性。由于迁移率退化和体效应因子的上升，依靠提高衬底浓度来抑 制源漏穿通是不现实的。但改变局部的沟道掺杂可以避免源漏穿通。通常的方法是使用Halo或Pocket 予注入区对器件的性能影响很大，要求精密定位其结深和宽度．新的超浅结离子技术才能满足要求a 2．3串联电阻 MOS器件中，如何提供器件的驱动电流是一个重要问题。源漏的寄生电阻随结深的 在弧0．1um 增加而上升．结果是减小了MOS的驱动电流和逻辑电路的噪声带宽。SALICIDE技术的使用一定程 度上仅仅减小了接触电阻，而实际的串联电阻包括了接触电阻、片电阻、扩展电阻和积累层电阻： R。：R，。+R。+R。+丑。。。沟道电流的流动分布和三项电阻的构成如图3所示，它们均与结深}u其掺 杂分