一种新的spicebsim3v3hci可靠性模型的建立及参数优化【精选】.pdfVIP

第37卷 第6期 电 子 器 件 Vo1．37 No．6 2014年 l2月 ChineseJournalofElectronDevices Dee．2014 A New SPICE BSIM 3v3HCIReliabilityM odelof MOSFET andParameterOptimization YU Yueyun ，LIN Hong ，ZHAO Tonglin ，DIGuangzhi，SHIYanling (1．CollegeofComputerandInformation，SouthwestForestUniversity，Kunming650224China： 2．SchoolofInformationScienceandTechnology，EastChinaNormalUnivers ，Shanghai200062，China) Abstract：AninnovativemodelingmethodiSpresentedfordescribingBSIM3v3SPICEreliabilitymodelofMOSFET duetohotcarrierin]ection．SevenmainparametersassociatedwithHCIareoptimizedinorig4nalBSIM3v3source code，and increasedtheirrelevanttimemodulatingcoe侬cientwhichcarlbeacquiredsevenequations．Inthiswork． 5V oper~ingvoltagenMOSFETwith10 m gatelengthand0。5 m gatewidth isprepared．TheI—V simulation curveafterparametersextractionfitthemeasuredresultsverywel1．SOanaccuratenewmodelofMOSFETsreliability modelisachieved．UsingtheBSIM3v3SPICEreliabilitymodel，thetypicalIdsat， h，I ，G degradationasafunc— tionofstresstimeiSplotted(achieved)andthelifetimeofMOSFETscanbeevaluated． Keywords：MOSFET；HCI；reliability；SPICEmodel；BSIM3v3model EEACC：2500 doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2014．06．008 一 种新的SPICEBSIM3v3HCI可靠性模型的建立及参数优化 禹明昀。，林 宏 ，赵同林 ，狄光智 ，石艳玲 (1．西南林业大学计算机与信息学院，昆明650224；2．华东师范大学信息科技与技术学院，上海200062) 摘 要 ：研究中提出了用于描述HCI(热载流子注人)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法，在原BSIM3模型源代码中 针对7个主要参数，增加了其时间调制因子，优化并拟合其与HCI加压时间(Stresstime)的关系式，以宽长比为 10txm／0．5 m 5V的MOSFET为研究对象，在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改，实现了该可靠性模型。实验表明，该模 型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合 ，因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参 数的变化 ，进而评估标准工艺器件的寿命。 关键词 ：SPICE模型；BSIM3v3模型；热载流子注入(HCI)；可靠性；参数 中图分类号：TN304．02 文献标识码：A 文章编号：1005—9490(2014)06—1049-05 VLSI工艺技术向纳米量级不断推进，MOS器件 应力变量的线性关系，定出所需的常数，从而外推获 的沟道长度、结深和栅氧厚度等参数等比例缩小，而 得器件正常工作条件下的寿命。应用这些模型可以