GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)地研究进展.pdfVIP

第十五层全田化合物半导体、饿波器件和光电嚣件掌术套议 广州’08 WED-GaN．H01 (邀请报告) GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究进展 郝跃，张金风 (宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安电子科技人学微电子学院，西安710071) 摘要：在化合物半导体电子器件中，高电子 阻分布、增强栅控能力、削弱电流崩塌等方 面改善器件特性。通过不同波段最佳性能器 迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率 场合最主要的器件形式。基于GaN及相关 件的材料和器件设计分析，给出了国内外 GaN HEMT器件微波功率特性目前的研究 III族氮化物材料(AIN、InN)的HEMT则是 目前研究最火热的化合物半导体电子器件， 进展水平。 是第三代半导体技术领域发展和竞争的焦 HEMT 点。从输出功率和频率的角度，GaN 非常适合无线通信基站、雷达、汽车电子等 致谢： 高频大功率应用；在航空航天、核工业、军 本工作得到同家自然科学基金霞点项目 用电子等对化学稳定性和热稳定性要求很 的资助，在此表示感谢。 高的应用场合，GaN HEMT也是理想的候选 器件之一。自问世到现在GaNHEMT器件 经历了十几年的研究，进展迅速、成果丰富， 作者简介： 但即便是已有初步商用器件的今天，该领域 郝跃，理学博士，西安电子科技大学微电子 仍有大量的科学问题，表现出“需求超前于 学院教授，博士生导师，西安电子科技大学 技术，技术超前于科研”的特点。进入本世 副校长。在第三代(宽禁带)半导体器件和 纪以后，GaN HEMT的材料结构以 材料、小尺寸半导体器件与可靠性研究等方 AIGaN／GaN异质结为主，器件工艺和热处 面取得了系统和创新的研究成果。主持的成 理手段基本成熟。 果或国家科技进步奖l项，省部科技进步奖 本文针对GaNHEMT由功率和频率应 一等奖3项、二等奖4项。共发表200余篇 用所决定的目标特性以及与器件可靠性密 论文，被引用和检索300余次。出版了SIC 切相关的电流崩塌现象，从以下两方面概括 宽带隙半导体技术》和《集成电路制造动力 了GaNHEMT器件性能优化的研究方法。 学理论与方法》为代表的多部著作。 第一是材料纵向结构设计，主要依靠在异质 结材料生长中改变材料的应变、载流子和能 通信地址：西安市西安电子科技大学校办 带的分布，在提高材料电导、改善夹断特性、 提高输出电阻、提高器件的线性度等方面改 邮编：710071 善器件特性；第二是器件结构设计，主要依 联系电话：029 靠钝化、场板和槽栅等器件工艺处