HgCdTe分子束外延材料电学性能.pdfVIP

HgCdTe分子jg外延材料电学性能 方维致+陈糯强，王善力，挂美蓉，杨建荣，何力 =童景粤学蔬上薄技术物理研究所．红外物理豳家曼意实验宝受坚导体薄镆研辩研究中心．二 海200083、 摘要： 本文报道丁-分子柬外延t}4BE)HgCclTe薄模柯奉茸的电学哇能的最新结果，H钉斟：县掌世能的均匀性、汁司 j 凳定性卫热处理的可调性的角度分析rⅥB￡技术芷制蔷红靠晦‘F面洲阵器件(IRFPjsi二所具有∞独特垅尊∞ 潜『j，分析表E目：P型热处理M腿一HgcdTe科抖纵向电学璧茼均q趸1；髓时闻推1}多两变化．运趟品质是剖备￡斗 焦平面列阵器件所必须的． 关键词：分子衷讣近(蛐E)、H酊dTe、红外焦、F颤剧臣器件(IRFPAs： 1．引言 由于红外焦平面搽测技术在应用领域的需求莱断扩人，龌进丁HgcdTe；尊膜材荆和焦。萤 器件复展““““。，备种材料生眨技术．如液瑁外正(LPE)、分子艇外迓I把Ej、金属有礼鼍 相沉积(MOCVD)．均己幽gcdTe材料的生长中得到了吨例，其中LPE技术曼早获得成功，材料翦 各项指标均已达到和超过体材料的水平．用泵空垃受主的P璎基底材料经B离子注A制备鸵、一 OFt—P红外焦平面列阵探测器已进入商业化生产一…，但LPE也有它的局限性．即生艮参数的精确 控制难度较大，工艺的灵活性差，无法满足多嘻结构、异质衬底外延材抖制备的需要。ⅥBE技 采则在这些方面具有独到的优势．因而近年来导到了迅速的发展。 本文报道有关HgcdTe一5t13E材科热处理_手}】材衅黾学性能方面的最新研究结累，通过比较用其 它生艮技术得到的}tgCdTe材料电学胜能，分沂■HgcdTe一ⅥBE技术在与备赫外适材料生疑按求竞 争中目前所处的地位以及它的发展潜力。 2．材料制各工艺 船E—H薛dTe材丰{在(211)BGaAs村康上进}亍生臣，生没器为法国Riber公司32P型分÷采 补延生长系统。GaAs村底经过抛光、清洗，腐蚀后送入高真空螂E生汝系娩辛，经鬲温(约900 2℃范围内，生长温度采用红外辐射测温仪进jf测量和控制，主氏迷率一啦为2．5。3岬，h，羔 毖厚度控制在10一15Ⅲa，生长结求时再生长300A怠奄的CclTe表面保护层， 生长好的材辩酋先进行红外透射光潜测量，通过吸收边的位羞和多罨摸的特征干涉，蠢致 ?：1 确定材料的组分卡口厚度。“，然后．通过热处理E芝获取汞空位为受主的P型H舀dTe9b延{时科呆fI 以残余施主为主的N型j李料。P型和N硝热处理录均果用阉管式1j艺，采用带CdTe表丽保护譬趵 rclr] 热处理工艺…“…，用于P型热处理：N型热处理采羽常规的汞源矧洋赫取温夏退：_【(，对热赴零 后的外延材料进行蓬耳测量，以确定外廷材料的哩学参数。 3．HgcdTe-郯EN辩的电学性能 3．1原生HgcdTe一她E外延材料的电学性能 5 丧，j彳一i，．：：C∞。：可5、!晌泵王誊．{专．爱了童；二二要：：鲁Z～·兰，正气空 蔓一j一=．奠挂彤．乏一：、曩．j：．乏-e．2t蔓‘|一，时一r’?叠对i毫■j￡薮低的兰量-晶i耋· _，、一?÷；：。’；=．．’：孓：j．々．jj毫≈捌，j：I三7xli。．：l二．一．～：?缎一曩tj，三爰、姜 。；1，：专‘三j薯，是={电．j+j，j：．三。i：戈曼立：、．1j!、：●一、_。左i：，主!三眵誊为 ．一，一，≮，}!I t：二!’·1=：￡三一’+一． ’蔓jijj、?二乏毫j7器要=j‘r{。}．o、 三一：乏主：芝．誊‘乏_，lj竭童_型麓善划j．置当寻鬯：．：了二，艺’ 、多罢蔗：ji放 。汁蔑公式。“’：．j曼：置：二乏侈，互羲：：一曩。二芑H讨々“互矸斟酌一#匀；参数与录皇 ÷．i京‘立．1j天系芝j一．：jj，乜翌ljji，、、j旦，；!；、’、!T?一‘：：泵蔓材“；确乓处P汞皇 i、i农废和刺承嚏主豫恐审、：÷．或囊’j：一h‘害t”iij旦：疙钛j， ；!泵羔位P习一 高 5≮c叮+，一qBE材{：-L‘jjj