MgO和Si上NbN超薄薄膜的生长研究.pdfVIP

维普资讯 低温与超导 超导技术 Cryo．Supercond． 第 35卷 第6期 V01．35 No．6 MgO和 Si上 NbN超薄薄膜的生长研究 李阳斌，康琳，昌路，吴培亨 (南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所，南京210093) 摘要：我们在单晶MgO (100)、Si(100)和SiOx／Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜，利用现代分析手段：x射 线衍射 (XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜 (AFM)等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、 表面界面情况等物理特性。研究表明，在Mgo(100)基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜，在 si(100)和SiOx／Si基 片上获得的是多晶NbN超薄薄膜。厚度均约6nm左右。这些超薄薄膜的超导转变温度分别为：MgO上薄膜是 14．46K，Si和 SiOx上薄膜分别是8．74K和9．01K． 关键词：NbN；超薄薄膜；外延生长 Thestudyon thesuperconductingNbN nano——flimsonM gO andSisubstrates LiYangbin，KangLin，ChangLu，WuPeiheng (ResearchInstituteofSuperconductorElectronics，NanjingUniversity，Nanjing210093，China) Abstract：WehavefabricatedsuccessfullyNbNnano—filmsonthemonocrystailineMgO (100)，Si(100)andSiOx／Sisubstrates．X — raysdiffusion(XRD)，transmissionelectronmicroscopy(TEM)andatomicforcemicroscopy(AFM)areusedtocharacterizethefilms， showingamonocrystallinestructurenadconfirmingepitaxialgrowthontheMgO(100)substrate，apolycrystallinesturctureontheSi(100) andSiOx／Sisubstrates．ThefilmsonhteMgO (100)，Si(100)andSiOx／Sisubstrateswithathicknessof～6nm，showthesuperconduct- ingtransitiontemperatureof14．46K，8．74K，nad9．01K，respectively． Keywords：NbN，Nano—film，Epitaxia1growth 1 引言 薄NbN薄膜制作。 MgO和 NbN的晶体结构类似，都是面心立方结 近十几年中，由于薄膜制备技术和微细加工技术 构。MgO的晶格常数是0．421纳米，而我们制备NbN 的高速发展，大大促进了超导热电子器件迅速发展，例 薄膜的晶格常数是0．446纳米，两者的晶格失陪度为 如，应用于太赫兹高端(1—8THz)检测技术中的超导 5％。采用优化的磁控溅射技术有利于在单晶MgO基 热电子混频器 (HEM) ，在近红外、红外以及可见光 片上生长出单晶外延的NbN薄膜。单晶NbN薄膜的 频段应用中表现出优异性能的超导单光子检测器件 超导电学性能，如 、．，、超导相干长度 、穿透深度入 (SSPD)E2]等等。这些超导器件是基于超薄的几个纳 等都要大大优于多晶N