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高介高压陶瓷电容器的发展 西安交通大学 陈维 刘斌刘庆峰 陈寿田 摘要 本文介绍高介高压陶瓷电咎器的发展过程及我国高压陶瓷电容器的发展情况，指出我国高压陶瓷 电容器技术已取得了很大进步。国产搿压陶瓷屯容器具有良好的可靠性，获得了广泛应用。 关键词 高压陶瓷电容器铁电体顺屯体 1 前言 由于弼介陶瓷具有很高的介电常数、高的机械强度、良好的电气绝缘性能和易于制造等 特点，在电子工业早已用于制造小体积大容量低压陶瓷电容器。本世纪中，人们试图用高介 陶瓷材料制造高压陶瓷电容器，虽然有一些产品面市，但应用有限，原因是当时的高压陶瓷 电容器性能存在不少缺点，如使用的介质是钛酸钡基陶瓷，它虽有高达数千的介电常数，但 属于铁电俗，介质损耗很大．．其介电常数和介质损耗的电压相依性大，随工作电压升高介电 常数丈幅度降低而介质损耗剧增，工作场强’／．-tan5高达15～20％。钛酸钡基陶瓷常具有粗晶 结构，耐电强度较低，直流耐电强度7kV／mm．交流耐电强度3kV／mm。钛酸钡基陶瓷具有 大的电致应变，交流电场下反复发生电致伸缩．因而老化速率快，寿命较短。此外，当时的 陶瓷电容器为了提高沿面闪络电压，需将陶瓷电容器置于绝缘容器中并浸渍变压器油，因此 其结构和体积优势显示不出来，成本也较高，未能得到广泛应用。进入七十年代，高压陶瓷 电容器制造技术得到显著进步，主要表现为电容器介质由过去的钛酸钡基铁电陶瓷改为钛酸 锶基顺屯陶瓷。钛酸键基陶瓷的居里点温度较低，在常温下处于顺电状态，因此其tant5可降 至10。～104量级；介电常数和介质损耗的电压相依性小；还由于它具有均匀的细晶结构，耐 电强度比钛酸钡基陶瓷提高了～倍以上；电致应变小，很少老化，也就是说在陶瓷介质性能 上发生了重火突破。此外，近年来环氧包封技术有很大发展，陶瓷电容器经环氧包封后，沿 面放电距离增大了很多，电容器结构更紧凑，体积进一步缩小。基于上述原因，高压陶瓷电 容器得到较大旋展，在高压电力电子技术中获得广泛应用。 2 我国高压陶瓷电容器的发展情况 我国高压陶瓷电容器技术以往比较落后，高压陶瓷电容器均靠进口。近年来通过科技工 作者努力，目前已有很大发展，在研究和生产上基本赶上国际水平，国产制品可基本取代进 口品。近年来所取得的主要进展如下： (1)瓷料的改进与发展 1．1对原有钛酸钡基陶瓷进行了改性，降低了高场强下的tan6并提高了耐电强度。如西 安交通大学研制的500kV避雷器均压陶瓷电容器，通过瓷料改性，把原先15％的tan5降 至了％以F，电容器在IT作电压F不再发热，可靠性大大提高，性能全面达到日本和国内 标准，代替了日本进口，已安全运行8年以上。 1,2开发了系列化的钛酸锶基低损耗瓷料，包括： (a)锶铋钛酸盐(SB’r)瓷料 _-『 ：‘L■r F 培 L■■■■■r●●『 篁 斟 剞 袖 ．删 0 O5 1 O 1．5 20 EkVfmm 图1电容量变化率与场强(50赫)的关系 图2 tan子弓场强(50赫)的关系 相对20。C的电容变化率为20％，介电常数及介质损耗随电场的变化很小，如图1、2所示。 图3示出钛酸钡基与钛酸锶基陶瓷电容器的激光输出与。t作电压的关系，可见高场强F钛酸 锶基陶瓷电容器的激光输出远大予钛酸钡基的。这是因为钛酸锶基陶瓷电容器随电压变化很 小之故。 (b)改性锶铋钛酸盐瓷料 近年来在SBT基础上通过用Mg、Ba、Pb等 离子置换部分sr获得了一系列具有不同特性的钛 酸键基瓷料。如用Mg置换部分sr得到SMBT瓷。