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维普资讯 PECVD法制备硅基 znO薄膜光学性能的研究 71 PECVD法制备硅基 ZnO薄膜 光学性能的研究 OpticalPropertyofZnO FilmsGrownonSiSubstrate byPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition 王应民 ，杜 楠 ，蔡 莉 ，李 禾 ，程 国安。 (1南 昌航空大学 材料科学与工程学院， 南昌330063；2南开大学 光电子薄膜器件与 技术研究所 ，天津 300071；3北京师范大学 材料系 ，北京 100871) W ANG Ying—min 一，DU Nan ，CAILi ，LIHe ，CHENG GUO—an 。 (1CollegeofMaterialsScience Engineering，Nanchang UniversityofAeronautical，Nanchang330063，China；2Instituteof PhotoelectronicThinFilmsDevices8LTechnology，NankaiUniversity，Tianjin300071， China；3DepartmentofMaterials，BeijingNormalUniversity，Beijing100871，China) 摘要 ：使用薄膜分析系统研究在不 同衬底温度下生长的硅基 ZnO薄膜反射谱 ，了解衬底温度对薄膜 的结晶状况影响。 研究结果表明，随衬底温度 的升高，晶粒之间融合长大，薄膜的折射率增大；在衬底温度 450℃时生长 的ZnO薄膜 ，薄膜 的折射率最大为 4．2，反射谱 的吸收边更接近 380nm，在 520nm处有一个弱的吸收峰，与 ZnO薄膜 的PL谱测试结果一 致 。再升高衬底温度 ，晶粒会 出现异常长大，晶粒排布将受到影响，导致薄膜折射率下降。 关键词 ：Si(111)；ZnO薄膜 ；等离子增强化学气相沉积 ；反射光谱 中图分类号 ：0472．3 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—4381(2007)11-007卜O5 Abstract：ReflectionspectraofZnO thinfilmsgrownatthedifferenttemperaturebyplasmaenhanced chemicalvapordeposition (PECVD)areinvestigatedbyAquila7000filmsanalysissystem．There- sultsshow thatgrowthtemperatureplaysanimportantroletocrystallographicpropertiesofZnO thin films．W ithincreasinggrowthtemperature，grainsbeginmergeandgrow up，therefractiveindexof ZnO thinfilmsincrease．Whengrowthtemperaturereachesthetemperatureof450℃ ，themaximum refractiveindexofZnO thinfilmsis4．2，theabsorptionedgeisaround380nm ，andtheotherabsorp— tionpeakisobservedat520nm ．thelocationabsorptionpeaks