非金属材料专业毕业设计（论文）外文翻译-高温退火降低多晶硅太阳能电池材料中位错密度.docVIP

高温退火降低多晶硅太阳能电池材料中位错密度 我们提出并证明了一种可以消除影响多晶硅太阳能电池性能的微错缺陷的方法，它适合晶片或者是铸锭。通过高温退火并控制气氛和实践温度关系，可以使质量低劣的多晶硅中位错密度降低至少95%.,位错密度的降低符合由kuhlmann和（发明者，物理学家，社会学家，伦敦，九月，（A 64,140(1951)）和Nes（43，2189（1995））发明的依温度变化的图表。当退火温度〉1170℃进行高温退火可以使位错沿着晶粒的滑移面自由移动，以至于位错在几分钟内消失。 当前多晶硅太阳能电池生产占全球太阳能电池生产将近50%的份额。遗憾的是，低寿命少数载流子得不均分布区域是多晶硅太阳能电池材料的一个重要缺点。因为生产太阳能电池的各部分都是电连接的，运作的区域制约着整个仪器的运转，并且制约着高效仪器系统的执行程序。工业生产多晶硅太阳能电池转化率在14.5-16.5%，但是通过消除低劣的区域和改善高效率系统可以使转化率范围在18-22%。这样的效率加上生产多晶硅太阳能电池的低成本，在可以达到的条件下可以进行大规模的生产并具有市场竞争力。 结构缺陷像晶界和位错，是导致多晶硅太阳能电池出现坏区域的主要原因之一，因为他们会造成硅片中有大量碎硅片存在，经历中的位错对少数载流子的重组影响显著。怀区域中位错密度在104-106之间。这种高位错密度可以显著降低整个电池的转化率，因为它们作为沉淀沿着等量环形模型消耗材料中好区域的能量。 为了提高多晶硅太阳能电池的性能，我们必须研制出一种可以降低位错影响的制造方法。传统上首先进行吸杂或者是钝化，着重降低位错的电活性。尽管如此，现在的结果显示表明这些技术只能达到部分成功。当多晶硅太阳能电池工作区域中存在高福及状态时，就连带有个别重组现象的位错也会对少数载流子寿命有很大的影响。 我们尝试另外一种方法：消除铸锭或者硅片中的位错。热处理来降低钢中位错密度是金属工人很早就运用于实践的方法，这给了我们灵感：对多晶硅太阳能镜片进行高温退火处理。用中等温度，高于材料从脆性到人性的转变温度（对硅：530-660℃,取决于掺杂剂浓度和曲率））））））样（图2（a））中的标准。在1100℃退火6小时的试样与未退火处理的参照试样相差很小，如果有差别的话，就是位错的滑移或消失。 图3表中试样在各种情况下退火处理和他们相对应的位错密度下降百分数可以表示为： 位错密度的减少量= 是最终（退火处理后）位错密度，0是初始（未退火）位错密度，不同初始位错密度的试样在不同时间和温度下退火可以得到反应参数，这个参数对于位错密度减少具有很重要的作用，由Kulmanna提出的用于冶金等经验公式并由Nes的精确描述说明位错密度降低是和温度时间有很大的关系。 （2） 图.2.是来自三个带硅的样品，分别在（a））