基于PspiceRTD等效模型应用电路研究.pdfVIP

计算机科学2008V01．35No．4A 基于Pspice的RTD等效模型及应用电路研究*) 杨倩任勇峰沈三民 (中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051) I-V曲线进行拟舍得出模型参数从而建立了RTD的等效模型，利用Pspice软件进行了仿真，仿真结果与测试结果基 本一致。文中还给出了几种RTD的基础应用电路，仿真模拟了其电路特性，对实际电路的设计具有一定的指导意义。 关键词RTD，Pspice仿真，等效模型，应用电路 1 引言 J盯=A RTD(共振隧穿二极管)是当前纳米电子学中最有希望 (2) 的器件，它是一种基于量子隧穿效应的两端负阻器件[1]。其 ．，既=H(出州盯一1) (3) I_V特性表现出负微分电阻特性，且具有响应速度快、工作频 式中各符号的含义为：A=等’；B=E，(Ep是发射区费 率高、低压低功耗和多稳态等特点[2]。目前，RTD已在多态 存储、A／D转换、多值逻辑、分频、倍频等实际电路中得到广 米能级)；c=E(E，是相对于阱底的量子化能级)；D=告(J’ 泛的应用[3]，在毫米波段和亚毫米波段，微波通讯、卫星通讯、 是共振宽度)；Y／。，n。是拟合系数。通过对一个实际AlAs／ 雷达、遥控等领域有极为广阔的前景。由于RTD具有超晶格 结构，量子效应显著，通常建立在半导体四个基本方程上的器 件模拟软件不能适用，应引入Schrodinger方程和Poisson方 程[4]，但这样引入对于电路模拟来说显然是太慢了。1996 (2)和公式(3)，得出建模层寸选定的公式模型为； 年，Sehuman等人提出了基于物理意义的电流一电压方程[s]， 提高了电路模拟速度，从而使得RTD的电路模拟得以实现。 本文根据R，rD的等效电路通过电压控制电流源建立起 (11．6—13．3¨] (4) 电路模型，并利用Pspice软件进行仿真，仿真结果和实际测 JEx=2．75×10—8(ew--1) (5) 试结果吻合。以此为基础，对几种RTD的应用电路进行了仿 (2)Pspice软件仿真 ’ 真和分析，为后续的研究奠定了良好的基础。 分析，首先必须建立元件RTD的Pspice模型。本文利用 2 RTD等效模型的建立及仿真 Pspice软件中的电压控制电流源建立起RTD的等效模型，利 (1)RTD的等效电路模型 用压控电流源G1，G2来分别模拟上述两部分电流-，盯和 J脒，电路原理图如图2所示。 结合RTD的卜V曲线和物理特性，本文选择RTD的等 效电路模型如图1所示。其中包括串联电阻R，串联电感 模型建立好后，在Pspice软件中进行仿真，仿真过程中 设定温度参数为27℃恒定值，仿真结果如图3(a)所示。利用 LI，本征电容G及RTD的本征微分负电阻(由电压控制 电流源来表示)。 (b)所示的1_V曲线。对比仿真结果与实验测试结果，两者基 本一致，仿真结果显示出RTD的负阻特性，说明上述模型建 立正确合理。 3几种R1[1D的应用电路 Cd 单稳一双稳转换逻辑单元(MOBIl。E)是用RTD构成的用 途广泛的