背栅单层石墨烯场效应晶体管de构建及可靠性研究【精选】.pdfVIP

年第 期( )卷 ０１０２２ ２０１５ １ ４６ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５０１Ｇ０１０２２Ｇ０５ 背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究∗ , , １ ２ １ ２ １ １ １ １ １ １ , , , , , , , 郝 威 郭新立 张艳娟 王蔚妮 张灵敏 王增梅 陈 坚 于 金 　 　 　 ( , ; 东南大学 材料科学与工程学院 江苏省金属高技术重点实验室 南京 １． ２１１１８９ — , ) ２．东南大学 张家港工业技术研究院 江苏 张家港 ２１５６２８ : ( ) / 摘 要 采用低压化学气相沉积法 制备了 墨烯无损覆盖到平行粘贴在 衬底上的热释放 　 　 LPCVD SiO Si ２ , , , 高质量的单层石墨烯薄膜 通过湿法转移将所制备的单 胶带表面 胶带间距约 ５００ m 进而对试样进行加热 μ 层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在 / 衬底上的 , / , SiO Si 和切割 获得与SiO Si衬底紧密结合的石墨烯条带 ２ ２ , , 热释放胶带表面 胶带间距约 进而对试样进行 , ５００ m 最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极 构建成 μ , / 加热和切割 获得与 衬底紧密结合的石墨烯条 , SiO Si 背栅石墨烯场效应晶体管 并对器件进行了电学性能 ２ ( ), 带 约１００００ m×５００ m 最后采用掩膜法在石墨烯 测试与可靠性分析. μ μ , . 条带上蒸镀金电极 构建成背栅石墨烯场效应晶