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乙二胺四乙酸含量对M型钡铁氧体薄膜磁性能和微波性能的影响.pdf
乙二胺四乙酸含量对M型钡铁氧体薄膜
磁性能和微波性能的影响
常 乐 ,刘颖力 一,陈大明。,王 雨
(1.中国电子科技集团公司,北京 100846;
2.东莞电子科技大学信息工程研究院,广东东莞 523808;
3.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054)
摘 要:采用有机金属裂解法在PtT/iO2/SiO2/Si基板上制备 M型钡铁氧体 (BaM)薄膜,并着重研究了螯
合剂乙二胺四乙酸(EDTA)含量对BaM薄膜结构、磁性和微波性能的影响。研究发现,当EDTA:(Ba2十+Fe”)
:1(摩尔比)时,BaM薄膜形成较多的六角形状晶粒 ,而且磁性能和微波性能较佳,沿C轴生长的取向度高达
0.9l,饱和磁化强度 为 302kAm/ (z/oMs--0.38T),在50GHz时铁磁共振线宽△Ⅳ为22kAm/ (277Oe)。这是因
为适量的EDTA不仅在溶液挥发时能够阻止金属离子的分离和间歇性的沉淀,并且能够促进成形成均匀的前驱
液,从而在前驱液分解时能促进形成BaM,在经过热处理后易形成沿c轴取向、具有六角形状晶粒的BaM薄膜。
关键词:M型钡铁氧体薄膜;结构; 磁性能;微波性能
中图分类号:TM277+.2 文献标识码:A 文章编号:1001—3830(2015)01—0026—06
InfluenceofEDTA contentonthemagneticandmicrowavepropertiesof
M 一 pebarium ferritethinfilms
CHANGLe,LIUYing.1i,CHEN Da.ming ,WANGYu
,.ChinaElectronicsTechnologyGroupCorporation,Beijin10084~China;
2.InstituteofElectronicandInformationEngineeringinDongguan,UESTC,Dongguan52380China;
3.StateKeyLaboratoryofElectronicFilmsandIntegratedDevices,Universityof
ElectronicScienceandTechnoloyg ofChina,Chengdu610054,China
Abstract:M.typebarium ferritethinfilmswerefabricatedonPt/TiO2/SiO2/Sisubstratebymetalorganic
decompositionme~od.~cusmgon theefrectOfelhylene diaminetetraaceticacidonhtestructure,magneticand
microwavepropertiesofBaM ferritehtinfilms.Itisfoundhtat.whenhtemoleratioofEDTA : (Ba2十+Fe”)=1
hexagonalgrainsareformed,nadhteBaM ferritehtinfilm hasexcellentmang eticna dmicrowaveproperties:dergeeof
orienattionofrCaxisofupt00.9l,saturationmagnetization of302kA/m andhteferromagneticresonancelinewith
of22kA/m (277Oe、at50GHz.TheseresultsareduetohtefacthtatappropriateamountofEDTAnotonlypreventshte
sergegationorintermittentprecipitationofmeatlionsfrom solutionduringevaporationbutalso
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