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中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会 一种具有阶梯漂移区的新型SOI 横向耐压结构 郭宇锋1,2 蹇彤1 徐跃1 王志功2 1) 南京邮电大学电子科学与工程学院，南京 210003 2) 东南大学 射频与光电集成电路研究所，南京 210096 1) Email ：yfguo@njupt.edu.cn 2) Email ：zgwang@seu.edu.cn 摘 要 本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT 技术，以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI 结构，并借助理论分析和二维器件仿真器MEDICI ，深入研究了该结构的耐压机理。研究表明，阶梯漂移区结构可在提高击 穿电压5～10％的同时，漂移区电阻大 度降低48～52 ％，而且漂移区尺寸也可缩小 10％。进一步研究表明，采用一阶或 二阶阶梯漂移区即可达到接近线性漂移区的效果，同时具有工艺容差大、制造时无高温过程、工艺成本低等优点。 关键词 SOI, 阶梯漂移区, 击穿电压, 横向变掺杂 1．引言 智能功率集成电路 SPIC 的出现极大地促进了电 2 ．VLT 技术与阶梯漂移区结构 力电子设备的微型化。SOI SPIC 具有介质隔离性能好、 对于SOI 横向高压器件而言，RESURF 技术提供 集成度高、速度快、功耗小等优点，近些年在智能功 了器件击穿电压和导通电阻的良好折衷。Huang 等人 [1-2] [5] 率集成电路的研究中受到了重视 。为了提高 SOI 通过分析SOI 的纵向二极管耐压结构 （如图 1a） ， [3-4] SPIC 的性能，SOI 功率器件的设计是关键 。当前的 首次表明当漂移区掺杂剂量满足下式时，击穿电压最 SOI 功率器件结构多为横向器件。为了提高击穿电压, 高。 人们研究了多种的耐压结构,例如场板(FP)结构,降低 Q N t e E / q （1） unif orm d s s c [5-6] 表面电场(RESURF)结构等 。而S.Merchant 等在1990 这里N 是漂移区浓度，t 为漂移区厚度，e 为硅 d s s 年首次把线性变掺杂 VLD (Varied Lateral Doping） 的介电常数，q 为电子电量，EC 为硅的临界电场。 技术引入 SOI 高压器件的设计中，极大程度上改善了 S. Merchant 等人指出，当采用线性掺杂漂移区时， SOI 横向功率器件的性能。他们在0.1～0.2μm 厚的顶 可以获得最高的击穿电压 （如图 1b），并给出最优漂 层硅上采用线性掺杂漂移区成功研制了700～860V 的 移区杂质剂量分布满足的关系为