多孔硅衬底在RFIC无源器件中应用.pdfVIP

张磊兢等：多孔硅村底在RFIC无源器件中的应用 多孔硅衬底在RFIC无源器件中的应用木 张磊兢，郭方敏，叶宇诚，朱自强 (华东师范大学信息学院，上海200062) 摘要： 介绍低阻硅基多孔硅作为低损耗衬底在射频 电感Q值和响应频率的改良情况‘11。 集成电路(RFIC)无源器件上的应用，分别讨论了在 贼C中的传输线，移相器和电感等无源器件运用多孔 2衬底损耗分析和讨论 硅衬底后性能和主要参数的改良变化，并从理论上分析 2．1介质损耗原理 变化的原因．多孔硅衬底大大降低了RFIC电路中传榆 高频下(1～40GHz)，电磁场集中在介质基片内， 线的损耗，使移相器的工作频率和相移量都发生变化． 介质分子交替极化发生晶格碰撞，引起介质漏电流增 运用多孔硅衬底，回旋电感的最高Q增加了63似16．8～ 加，导致介质损耗明显增加，用经验公式表示为【5】 27．4)，最高响应频率增加了28％(15．2～19．4GHz)． 结果表明多孔硅衬底在高频情况下完全能满足RFIc元 ％=27．3竽厄告半， (1) 件的要求． tan艿为损耗正切角，c为真空中光速，，为传输线工作 关键词： 阿C；多孔硅；传输线；移相器；电感 频率，岛为有效介电常数： 中图分类号： TN4 文献标识码：A 乞=竽 (2) 文章编号：1001．973l(2007)增刊．0885．03 键在于基片介质材料的选择。 1 引 言 2．2不同衬底性能的比较 根据衬底介质损耗分析，应选用高阻、介电常数较 随着移动通讯的高速发展，越来越多的射频电路 (R凡C)被集成在单一芯片上，单片集成RFIC的优点 的制作成本高，且不能与成熟的低成本硅工艺兼容。SOI 是低成本，体积小，可高密度封装等…。RFIC的无源 衬底能够有效降低衬底损耗，但受温度影响较大。以传 器件有电感，电容，移相器等，应用COMS工艺将无 源器件单片集成会产生衬底损耗问题，特别在频率较高 状态，该瓶颈抑制了无线通讯芯片的规模集成。频率 基阻值也在很大程度影响着器件性能，用300肛m， 5GHz以上，由于硅衬底的损耗，使纳米COMS集成密 度不能满足设计要求【2l。已有多种方法来降低硅衬底效 应，如用高阻硅，SOI，质子束轰击形成硅上半绝缘区 结果。 域做微机械结构，但是存在成本高、受温度影响较大、 无效隔离、不能制备区域微波器件、与VLSI技术不兼 容等问题【3’4】。多孔硅是获得低损耗衬底的有效途径， 它的电阻率可达MQ．cm量级，与VLsI技术兼容，是 对I强IC非常有吸引力的材料。硅上可制作几百微米厚 的多孔硅绝缘隔离，对高性能RF元件非常合适，不需 要二氧化硅和氮化硅等其它辅助隔离材料。多孔硅的介 电常数可在3～9之间调整，多孔度可在25％～80％之 间变化【5】。多孔度50％以上的硅衬底完全能满足RFIC 斤eq嘲cy，G№ 元件的高频要求。 图l 高阻硅、多孔硅、soI衬底的损耗特性比较 本文通过衬底损耗分析，以RFIC传输线为例分析 lTheinscrdonlossofdif!fbrentsubs扛ate