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Bi(1-x)Sbx合金薄膜的输运性能研究.pdfVIP

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Bi(1…)Sb。舍金薄膜的输运性能研究 .,1q. ——一一~————————————————————~—————————————————_二二——一 Bi(1一x)Sbx合金薄膜的输运性能研究。 范洪涛。李广海 (中国科学院固体物理研究所舍肥230031) Transport of ThinFilms Properties Bi{a—z)SbxAlloy Fan Li Hongtao Guangbai of (InstituteSolidState of Physics,Chinese AcademySciences,Hefei,230031) 摘要本文采用射频磁控共溅射法制各了Bi(1_。)sk合金薄膜,研究了薄膜的 结构和电输运性能。结果发现,随着溅射靶材中sb含量的增加,与纯Bi标准谱相 比较,所制备的Bi—sb薄膜样品的衍射峰(012)逐渐向高角度方向移动,表明Bi与 sb已经合垒化,形成了Bi(1…)Sb合金薄膜,且薄膜中Sb的含量逐渐增加。随着 温度的降低,样品的电阻率逐渐升高,呈现出典型的半导体行为。塞贝克(See— beck)系数随着温度的降低,先升高而后降低,最大值与Sb在Bin一)Sb,合金膜中 的含量有关,分析讨论了产生这些现象的原因。 关键词输运性能 薄膜半导体热电效应 films Abstract thin were Bi(1J)SbiallW dep(x4tedbyusingRadio-Frequencymawnetron cnsput Thesm]ctttreand were XRDPPMS tering transport and It propertiesinvestigatedby respectively was of foundthat theBi—Sb thinfihns re— the(012)diffraction with peak alloy moved“)high angle tothe XRD of Bi Sb All spect standard with the content showa pure smrlples pattern increasing typl— in versus cal∞mic。rlductorbeh

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