PⅢ-D合成氮掺杂碳基薄膜的表面特性研究.pdfVIP

机械装备结构材料与表面技术研讨会 617 PIII．D合成氮掺杂碳基薄膜的表面特性研究 文峰1，2 黄楠2孙鸿2王进2 1．热带生物资源教育部重点实验室 海南大学材料与化工学院海口 570228 2．材料先进技术教育部重点实验室成都61003l 摘要：采用等离子浸没离子注入和沉积(PIII．D)的方法在室温下合成了氮掺杂碳基薄膜。薄膜的厚度大约200nm。采用路 易斯酸碱对的方法深入研究了溥膜的表面能，拉曼光谱和X射线光电子能谱分析了薄膜的成分和结构，结果表明溥膜内N 的掺杂含量和sp2簇并不是随N流量增加而持续一直增加。紫外分光光度计的研究结果表明带隙宽度与薄膜表面能中的酸碱 分量比有较好的相关性。 关键词：薄膜表面能拉曼光谱带隙 O 引言 刚石，引起了众多的研究者们的极大兴趣。等离子增强化学气相沉积，直流磁控溅射陋3J等多种方法被用于 合成碳氮薄膜。多年的研究表明，碳氮薄膜具有宽带隙，高的热导性，高强度，高分解温度，耐腐蚀和耐 磨损及硬度制4】等优越的性能，目前已在计算机和硬盘制造等工业领域得到广泛应用p】。目前在碳氮薄膜的 waals，acid_base 研究中，采用LifShitz—v龃der 见报道。通过酸碱对计算可以得到薄膜表面在与其他材料接触时接收和释放电子的趋势大小15】。 本文采用PIII．D在不同氮气流量下合成系列碳基薄膜。运用不同的研究手段，研究了工艺参数对薄膜 表面能、成分和结构间的影响。 1实验方法 1．1薄膜制备 阴极弧源产生碳的等离子体，经过磁过滤弯管过滤掉那些有害的宏观大颗粒的粒子后到达基体表面。Si片 放入真空室之前将样品部分覆盖以备使用台阶仪测定薄膜厚度。而后用Ar+离子对硅片表面进行溅射清洗 以去除表面污染。基础真空大约6．4×10‘4Pa，沉积时间20分钟，基体负偏压采用直流，大小50V。样品 编号见表1。 表1 PIII．D制备氮掺杂碳基薄膜样品参数 1．2薄膜表征 采用接触角测试仪和固着液滴的方法获得薄膜与不同液体间的接触角，路易斯酸碱对方法研究了薄膜 面轮廓仪测定薄膜厚度约为200咖。 2实验结果与分析讨论 路易斯酸碱对法‘51研究材料的表面能特性是近年来才逐步提出的～种新的研究材料表面能的方法。它 海南省自然科学基金(80628)，国家自然科学基金和海南省教育厅高校(Hjkj200r701)资助项目 618 2008年中国机械工程学会年会暨甘肃省学术年会文集 包括非极性表面张力分量(一w)和极性酸碱表面分量(∥)。与y∥不同的是，∥占还包含了电子受主 性分量力、碱性分量厅和∥8。 (…。s臼)乃：2(厮+√鬲+厮) (1) 以=砖Ⅳ+∥口，其中∥B=2√万万 (2) 0-、 S 差 至 ≤ 善 置 +h 末 N0 Nl N2 N3 N4 Sample№． 图l 合成的氮掺杂碳基薄膜表面能变化曲图 图l所示为薄膜的表面能参量y：、庀、以及yj／∥和y，，y?w随N流量变化曲线图。合成的氮掺杂 碳基薄膜表面能以和y∥以及y，／y¨随着N流量的变化不大，且以和y¨的变化没有规律性，但y：，厅 却相对敏感。当薄膜从未掺杂的N0过渡到掺杂碳