大马士革技术中一种非CMP平坦化技术研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议’ 珠海 大马士革技术中一种非CMP平坦化技术研究 钟兴华，林钢 中国科学院微电子研究所一室，100029 摘要：本文深入研究了一种非CMP的平坦化方法，它的主要过程包括BPSG热回流， 两次旋涂光刻胶以及速率差干法回蚀等步骤。这种方法将热回流技术与旋涂膜层技术结合 起来，具有良好的平坦化效果。利用这项技术，我们成功地制备出性能良好的栅长为95nm 金属栅CMOS器件。测试结果进一步表明该方法具有良好的发展潜力，可以用在深亚微米 金属栅CMOS器件的研究与制备中去。 1 引言 器件尺寸以及栅介质的等效厚度的持续降低将引起过大的栅隧穿漏电流、B穿透效应、多 晶硅耗尽效应以及量子机械效应。…~【4】利用大马士革技术制备的金属栅电极CMOS器件 可以妥善地解决这问题。 金属栅技术面临的主要困难是金属栅电极容易被注入源漏的离子穿透，并且难以承受激活 源漏杂质的高温。因此我们要采用嵌入式替代式(Damascene)金属栅工艺，也称为大马 士革方法【5】。其主要思想是利用Si3N4假栅(dummygate)完成高温以及注入步骤，然后 去掉Si3N4假栅和栅介质，形成栅槽，最后重新生长栅介质，溅射金属栅电极，完成器件 的制备。 在大马士革技术中最为关键的一项技术是平坦化技术。我们采用的是BPSG热回流+两次 旋涂光刻胶+速率差干法回蚀的低温氧化膜的平坦化方法。旋涂以及回蚀的条件是在实验 硅片上经过大量实验优化而得出的。对于si3N4假栅而言，由于旋涂以及回蚀是低温工艺， 所以不会改变衬底杂质分布，所以可以独立于所有的注入工艺而独立进行。研究结果表明， 这种非CMP平坦化技术展示除了良好的平坦化效果。 2 实验过程 在我们的实验中，这种非CMP平坦化技术可以分成两个关键的步骤： 2．1BPSG热回流 实验中，首先LPCVD连续淀积200nmIT0以及650nmBPSG层。在淀积BPSG过程中需 要对B的组分进行优化来降低热回流的温度从而达到提高器件性能的目的。最后，我们获 得的优化的BPSG热回流条件为750uC，在N2条件下退火20分钟。BPSG在图形覆盖处 的回流可以获得局部平坦化【6J，但不足以满足制备深亚微米金属栅CMOS器件的要求。 2．2两次“旋涂光刻胶+干法回蚀” 在本项非CMP平坦化技术中，我们采用“旋涂光刻胶+干法回蚀”方法，利用旋涂的离 心力以及光刻胶的流动性来进一步降低台阶。在实验中，我们使用的光刻胶为9912稀释 液。 ra)旅涂一法光刻皎 此过程主要分为旋涂和固化两个阶段。首先，以6800转／分的转速在硅片表面旋涂9912 稀释液。旋涂光刻胶后的硅片送至低温烘箱(1200C)进行烘干处理，以去除9912稀释液 ．．109．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 中的有机溶剂和水汽。经过烘干处理后，硅片表面光刻胶的厚度大约为3670A±150A。经 过旋涂和固化后，我们获得如图l所示的剖面结构。 (b)刻蚀一次光刻胶 从图1中可以看出需要进行平坦化的结构由光刻胶、BPSG以及LTO组成。为了减少聚合 物的生成，首先要利用刻蚀光刻胶速率较快的条件进行刻蚀。快速光刻胶刻蚀结束后，我 们得到如图2所示的剖面结构。从图2可以看出，由于(hi．h2)／h3约为1／3，所以我们要选 择刻蚀光刻胶与BPSG速率比为1：3的条件，刻至有源区剩余少许光刻胶。其中，BPSG 与光刻胶的刻蚀速率与02流量的关系如图3所示。之后，利用去胶3#(H2S04与H202的 混合溶液)清洗，去净硅片表面光刻胶。完成一次光刻胶刻蚀。 (c)旋涂二次光刻胶 由于光刻胶刻蚀速率与刻蚀面积相关以及光刻胶刻蚀速率不均匀，只通过一次旋涂光刻胶 +反刻很难达到所要求的平坦效果。为了进一步减小台阶，我们选择二次旋涂光刻胶的方 法。二次旋涂光刻胶的条件与一次完全相同。 (d)刻蚀二次光刻胶 与一次光刻胶刻蚀条件类似，同样需要利用刻蚀光刻胶速率较快的条件刻至假栅顶部仅残 留少量光刻胶。由于经过旋涂一次光刻胶和反刻后，台阶已经得到了一定程度的平坦，所 以我们只要选择刻蚀光刻胶与BPSG速率比为l：1的条件，刻至有源区剩余少许光刻胶， 即可达到平坦的目的。其中，BPSG与光刻胶的刻蚀速率与C