拉晶埚位对直拉硅单晶氧含量的影响.pdfVIP

定义晶体直径变化的温度因子 条件不变，采用氮气氛保护的直拉硅单晶的 后lD3／2 ，，^、 直径明显比氢气氛保护的要稳定，这是因为 uw 口。可≯币■丽 氮气氛的热容量大于氩气氛(约1．4倍)，使 和晶体直径变化的拉速因子 得用氮气氛时的环境温度较低，同时热交换 。． 趔：：： …、 系数较大。另外，我们亦用增加保护气氛流量 ”一K洛1／2(T．一％)口，． 、‘17 的方式，比较了直径控制的情况。亦得出了流 方翟(10)、(11)直接表示出晶体对温 量大，单晶直径稳定的结论。实验拉晶纪录如 度变化和拉速变化的敏感性。 图1。 3实验及结果讨论 另一方面。从方程(9)可以看出，在 从方程(8)可以看出，在其他条件不变 大直径硅单晶的生产过程中，同样的拉速变 的情况下，熔体温度的微小改变而引起的直 化．将引起更大的直径变化。所以同样的设 径变化，由温度因子口决定。口越大，同样的 备，在拉制大直径单晶时，要求直径控制的 温度起伏引起直径变化越大，亦即直径越不 拉速灵敏度低一点。这一点对实际生产，尤 稳定。而口的表达式(10)中，基本上可以认为其是对大直径的硅单晶生产有非常重要的指 J}l，屯，L是恒量，能够在工艺上控制的是￡， 导意义。 ％，口T。同样可以看出，随着晶体直径的增 参考文献 大，口亦增大，也就是说大直径单晶直径容易 不稳。为了弥补大直径而带来的直径不稳，拉 1艇iceJC．J．cly．IGromh-l婶!(2)：螂， SeouA 晶控镧过程中可以通过降低环境温度％，增 2 R M．J蛳C,,nm．h：1971，ito)i39。 加晶体与环境的热交换系数等来达到。我们 615 通过改变拉晶气氛的种类和流量，发现其他 20，妇 -VN勋够，I 拉晶埚位对直拉硅单晶氧含量的影响 —，———一一^，●，___‘ 郝玉清 方 锋 吴志强 万关良 张果虎 (北京有色金属研究总院半导体材料工程研究中心，北京loobss) 摘 要 本文研究了直拉硅单晶氧含量与拉晶埚位的关系；埚位高，单晶头部 氧含量较高；埚位低，单晶头部氧含量较低。 ， 1引言 硅单晶中的微缺陷的形成有密切关系，硅片 。氧是直拉硅单晶中很重要的杂质。这主 表面韵微缺陷在器件热氧化工艺中形成氧化 要是由于单晶中的氧在器件加工工艺中有两 诱生层错而影响器件的成品率。好的方面是 方面作用，坏的方面氧可以形成热施主及新 氧沉淀被用做内吸杂中心，它对重金属杂质 施主，使得电阻率均匀性变差；氧还与直拉 和过饱和点缺陷有吸除作用，在硅片表面形