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陶瓷基PtITO薄膜热电偶的制备与性能研究.pdf
18 传感器与微系统(TransducerandMicrosystemTechnologies) 2015年 第34卷第3期
DOI：10．13873／J．1000-9787(2015)03-0018-03
陶瓷基 Pt／ITO薄膜热电偶的制备与性能研究
刘海军，蒋洪川，吴 勐，赵晓辉 ，蒋书文，张万里
(电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054)
摘 要：为了准确测量涡轮叶片表面温度，采用掩模图形化和射频磁控溅射的方法，在Al 陶瓷基片上
沉积 Pt／ITO薄膜热电偶，并对其进行了静态标定。结果表明：Pt／ITO薄膜热电偶在 1000oC进行大气气氛
退火，随着退火时间的增加，样品热电势输出曲线稳定性逐渐增强，Seebeck系数也较大，标定曲线均具有
很好的线性度，退火5h的样品的最大测温误差仅为16．O3℃，可在400—1100 温度范围热循环中稳定工
作约20h。ITO薄膜厚度对Pt／ITO薄膜热电偶热电性能几乎没有影响。
关键词 ：Pt／ITO薄膜热电偶；射频磁控溅射 ；静态标定；Seebeck系数
中图分类号 ：TP212．9 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000-9787(2015)03-0018-03
Preparation andpropertiesstudyofPt／ITO thin．film
thermocoupleonceramicsubstrates
LIUHai-jun，JIANGHong-chuan，WUMeng，ZHAOXiao—hui，JIANGShu—wen，ZHANGWan-li
(StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，Universityof
ElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China)
Abstract：In orderto measurethe bladesurface temperature precisely，Pt／ITO thin film thermocouplesare
depositedonA12O3ceramicsubstratesbyshadowmasktechniqueandRFmagnetronsputtering．Thethermoelectric
propertiesofthesamplesaretestedbystaticcalibration．Theresultsshow thatthestabilityofthermoelectricpower
outputandtheSeebeckcoefficientofthethinfilm thermocouple are graduallyimproved with theincreaseof
annealingtime；calibrationcurvesofal1samplesareofgoodlinearity：themaximum temperaturemeasurementerror
ofthesampleannealedat5hiSonly16．03 in山eatmosphere．whichcanWOrkstablyat400—1100oC for20h．
ThicknessofITO thinfilm hasnosignificanteffectonthemr alpotentialoutputofPt／ITO film thermoeouple．
Keywords：Pt／rrOthin-film thermoeouples；RFmagnetronsputtering；staticcalibration；Seebeckcoefficient
0 引 言 料抗氧化能力
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