碘过饱和KOH溶液腐蚀硅尖技术研究.pdfVIP

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2017-08-09 发布于安徽
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92 材料工獠／2008年lO觏碘过饱和KOH溶液腐蚀硅尖技术研究 Siliconin Microfabrication TipsIodine—supersaturated KOHSolution 韩建强，卢少勇，李青，王疆英 (中豳计量学院MEMS器件研究室，杭州310018) HAN Shao-yong，LIQing，WANGJiang-ying Jian-qiang，LU ofMEMSDevice，China 310018，China) (Laboratory JiliangUniversity，Hangzhou 摘要：氮氧化钾溶液腐蚀硅尖具森耪子实现、设镰搿单、优异的纵巍腐蚀均匀憔等优点，但蹴镳均匀性差、纵淘翱横向腐镳速率之院低、锋形为不对称酶八棱锥。逶过在KOH溶滚孛添粕过饱和静旗攀震(12)，曩蓑凌夺了快腐镳蠢豹翻角速率，柱较小的掩膜下腐蚀出高的硅尖。更为重要的是该腐蚀液腐蚀的硅尖异予常规的不对称八棱锥，而是一种半锥角很小的“火箭尖”形状，因此可望获得趟好的扫描特性和隧道效应。关键满：AFM搽铮；凝是；硅尖；务淘吴性腐蚀；微毯子撬壤系统中圈分类号：TN605；TH742。9文献标识码：A 文章缡鼍：1001—4381(2008)10—0092-03 in KOH is tohandle，lowcostand silicon solution Abstract：Etchingtips anisotropic simple，easy rate onawhole the of homogeneousetchingof(100)crystalplane wafer．Unfortunatelyhomogeneity that siliconishad，andthe ratio to of undercuttingtips etchingof(100)crystalplane undercutting inKOHsolutionis si— rateissmall．Inaddition。theofsiliconetched figure tips unsymmetricaleight ded this rateofsiliconare tips improvedaddingsupersaturated pyramid．Inpaper，theundercutting by iodineandKIinKOHsolution．Theofsiliconetchedinthisnovel solutionisrocket figure tips etching sided