SI+GaAs阈值电压均匀性和PL+mapping均匀性的关系研究.pdfVIP

SIGab．s阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究 朱朝嵩‘张有涛1夏冠群1惠峰2 (1中田科学院上海徽系统与信惠技术研究所上海200050) (2中目科举院半导体所北京100083) moping均匀牲可 摘要 奉文探讨了SICaAs单晶片的PLtmoping均匀性与■值电压均匀性的关摹．韧步认为t单晶片的PL 以综合反映材料参数的均匀性．可以反头整个■片的■值电压坶匀性．PL_印i喈曩试技术是Ga^s数字电路研宄、生产的有效 测试手段． 关键词：PLmapping—值电压均匀性sI 6“置／ 1．引言 GaAs材料在诸多方面有着硅材料无法比拟的优势，因此在超高速、高频等方面得到了广 泛的应用．但是随着GaAs超高速数字电路的发展，其对材料的均匀性要求也日渐提高。材 料的微区均匀性已成为限制GaAs超高速数字电路的发展的重要因素”。1．而以往的一些均匀 性表征方法，如电阻率、迁移率均匀性、EL2浓度均匀性等反映的材料性能比较宏观，且 反映的信息单一．不足以表征Go．As材料的质量．阈值电压均匀性能综合反映各项材料参数 的均匀性，可以直接反映材料与器件、电路性能的影响．但器件铡作过程较复杂，无法成为 日常检验手段。而PL mapping是目前测量SI—GaAs材料微区均匀性的有力手段之一，该测 量技术具有非破坏性、灵敏度高，直观性强、快速准确等优点．本文讨论了PLmapping与 阈值电压均匀性的关系，表明PLmapping可以反映闽值电压的均匀性，是行之有效的圆片 均匀性检测手段。 2．原理与实验 PL谱(PhotoluminescenceSpectra)是光生载流子过程，与材料表面和体内特性的综合 情况密切相关，PL谱强度受到材料的微观缺陷、杂质和非辐射中心的影响。所测的强度是 定量的”1。PL mapping是近期在光致发光光谱基础上发展起来的扫描光致发光光谱技术．它 能准确显示03”的SI-GaAs样品在不同能量(波长)的带边发光强度沿样品表面的分布．即 PL mapping。由于光致发光的强度大小依赖于激发激光的强度和SI—GaAs样品片内辐射复合 中心的浓度，因而在固定的激发光强度下，样品片表面各点光致发光强度的变化可直接地反 映发光中心浓度的变化．． 本实验所用样品为半导体所提供的置种02”的SI-GaAs样品，每种样品两片．将三种样 品各取一片，按回一条件进行衰面处理，庸蚀掉表面的亚损伤层。然后进行离子注入．双注 退火，退火温度为96(FC．将三片样品作PLmapping测试．测试所用的激发光瀑为氯氖激 光器，激发波长为632．8mr．榉最表面光致发光的最强峰在870nm、890rm之l厨，记录磐点 最强峰的光强度。 将另外兰片样品沿垂赢于主定位边的赢径划成两半，对左半片采用平面蕊赢注入工艺 流片．工艺流程：袭面赴理嚏瘩蚀对准掩毫己_注入si形成n层。注入能量和捆量分别为 1 5x10”Cm 2-+940。C快速退火_+B离子注入形成器件隔离，注入能量和剂量分别为80key， 8×10”cm 2_光刻源漏区，蒸发AuGeNi／hu，剥离．合金化形成欧姆接触斗光刻栅区，腐蚀挖 槽，电子束蒸发Ti／Pt／Au，剥离。 ·325· 3．结果与讨论 mapping 袭I为离子注入后PLmapping测量统计结果．由表1可见样品99—28c的PL 均匀性最好。 袭1PL-mapping测量数据统计表 标准偏差／ 样品编号 最小值 最大使 平均值 标准偏差 点数