稀土掺杂硅基氧化薄膜蓝紫发光特性的研究.pdfVIP

第8卷增刊 垒属功能材料 Vol8 SLlpp 2001年3月 MelallicFtmefionalMmerials M耐-2∞l 稀土掺杂硅基氧化薄膜蓝紫发光特性研究。 曾宇昕1王乎2王水风3元美玲3王兼善3徐飞‘程国安1沈鸡烈4 330047 (南昌大学1材料系2计算中心3物理系南昌 4中科院上海冶金研究所上海20∞50) 摘要在探索有效发光电子器件和光电集成微电子材料的研究中，掺杂稀土硅基材料近年来引 起了人们的关注。我们用离子注入的方法制备了掺【丑、Nd和ce的硅氧化膜，研究了他们的光致 发光特性。实验表明，在紫外光(^。=250唧)激发下，他们均具有显著的蓝紫光发射，且发光稳定， 光致发光(PL)谱具有多峰结构，发光强度与掺稀土种类、浓度和制备过程中退火温度等多种因素 有关。本文对发光机理也作了初步探讨。 美■词稀土掺杂离子注入光致蓝紫发光硅基氧化膜卢瑟福背散射(船动谱 中圈分类号四酗虬2=瓯∞蓦导，