钨基钪系发射体发展概况.pdfVIP

第31卷增刊2 稀有金属材料与工程 V01．31，Supp．2 2002矩10月 RAREMETALMATERIALSAND ENG姗ERING October2002 钨基钪系发射体的发展概况 陶斯武，王金淑，王亦曼，周美玲，张久兴，左铁镛 (北京工业大学材料学院新型功能材料教育部重点实验室，北京100022) 摘要：概述了近年来钨基钪系发射体的进展和研究现状，介绍了钪酸盐阴极、顶层钪系阴极、膜钪系阴极、钪钨基底 钡阴极的性能、特征及相应工作机理。根据钨基钪系发射体的研究成果，提出了钪钨基底钡阴极材料研究的一些设想。 关键词：阴极；钪系；电流密度 对该阴极的次级发射特性、次级发射图和次级发射面 ●．jLJk--■一 1日lJ吾 分布的影响。根据一系列分析得到了下面的结论： (1)适量的钪酸盐阴极次级发射系数万大。在激活 钡钨阴极是目前阴极材料中性能较为优异的低 过程中，存在1个合适的激活温度，在此温度下，表 温高电流密度热阴极，但由于钡钨阴极中钡的蒸发速 面钡的减少和钪的增多对万的影响达到平衡，此时可 度偏大，限制了其生产和应用。活性物质中含Sc203获得最大的63．56(EDm-700V)。 的Sc系阴极受到热阴极研究与应用部门的普遍重视 (2)钪酸盐阴极表面次级发射是不均匀的。不均匀 和关注，与传统的钡钨阴极相比，钪系阴极能轻易地 的尺度在10Hm量级，表面可分为2种区域，1种区 将逸出功降至1．5eV，并且降低蒸发速度的变化，低温域钨的原子浓度百分比大，钡、氧、钪的原子百分比 下有高的发射电流，在高分辨率显示器和寿命要求长 小：另1种区域钨的原子浓度百分比小，钡、氧、钪 的真空微波电子器件方面有广泛的应用前景。自20 的原子浓度百分比大。这2种区域分别有不同的万。 世纪70年代初研制出钪酸盐阴极以来，钪钨热阴极 含钡、氧、钪较多的区域，万大。万的面分布曲线服 的研究已取得了很大的发展。本文对该类阴极的分 从二项式分布。 类、性能、特点和工作机理等几个方面的研究现状进 1988年，中国科学院电子学研究所的研究人员就 行概述。 已经对此种阴极的发射性能进行了深入的研究，并且 所研制出的阴极材料已经成功用于回旋管等大功率 2钪钨热阴极的分类及性能 毫米波器件以及交叉场器件中pJ。 除我国浸渍型钪酸盐阴极的成功应用外，国外首 2．1钪酸盐阴极 次报道了浸渍型钪酸盐阴极在微波管内的实际应用。 钨与钪酸盐混合压制型和在铝酸盐内添加Sc203 的浸渍型，统称铳酸盐阴极。1967年，原苏联以盐阴极取代氧化物阴极用于S波段，50Mw大功率 laS， W+Ba3Sc409混合压制成钪系阴极，当工作温度为脉冲速调管。所用阴极直径为85inln，工作脉宽6 1 000℃～1 100℃时，可支取1A／cm2～4A／cm2的电流重复频率50Hz，阴极工作温度900℃，电流密度8 000℃ AJcm2。 发射。1977年，Philips制成浸渍型阴极，在l 000h。 时可支取4A／cm2的电流发射，工作寿命3