AIST-1Hz电子束源研究进展与新阴极材料探索研究.pdfVIP

第十届高功率粒子束学术交流会议文集 AI ST-I Hz电子束源研究进展与新阴极材料 探索研究 高怀林 (中国科学院电子学研究所激光实验室．北京2702-45信箝，100080) 摘要t 本文介绍日本国家先进工业科学技术研究院(AIST)IHz重复频率电子束产生研究进展，并基于我国高功率微波热阴 极技术研究进展．探索一种多孔金属冷两极材科的应用可能性和应用潜力，为发展我国的高能C仉气体激光、准分子激光、非 链式HF／DF激光。进行电子柬源技术探索- 关键词： 重复频率电子束发生器，冷阴极材料，多孔金属钨阴极，高能激光 引言 在强激光技术与激光惯性约束核聚变研究领域。伴随着脉冲高能、大电流电子束的产生，．人们开展了重 复频率电子束的产生技术研究，为当前惯性约束聚交研究与可移动高镌激光器研制提供服务。美国海军实验 工业技术科学研究院当前开展了IHz重复频率电子柬的产生技术研究。在这些研究工作中．场致冷发射阴极 材料与结构是当前研究的关键单元技术之一．其基本要求是，(I)可以产生大电流密度的电子束，井能保持 材料 电子束发射能力不退化；(2)在电子束产生期间，不会诱发电子束=极管产生电气击穿，如材料碳化， 汽化，或升华等现象：(3)产生的电流脉冲上升沿要快。本文将介绍日本国立先进工业科学技术研究院在这 方面的研究进展．以及先进阴极材料的一个可能的研究方向． AI oST=I Hz电子束源设计参数与阴极材料研究进展 入能量，开展重复频率ICF技术研究。其装置结构图与工作原理图见图l。充电电压为30kV的8路初级储能 后直接加到冷阴极。以激励脉冲电子束。当前已经研究过的冷阴极材料和结构有四种。它们分别是短绒纺织 布、单晶硅、纳米碳，以殛“陶瓷+铝网”复合体。各种材料的基本特性见表l。由表l中的参数可见，选择 前三者的原因是，因为他们的发射体尺寸非常小，可以极大提高场增强因子。其中单晶硅、纳米碳的微观结 金压力膜之后，这些阴极的电子束发射电流密度与电流强度见表一所示。 —、喇 纺织绒布 单晶硅 纳米碳 陶瓷+钼网 设计指标 场增强尺度 山n 15—100nm200nmUm 发射体制作 商店购买 蚀刻单晶 汽相沉积 二者复合 8cmx65cm7cmxl7cm 8cmx65cm 阴极面积 8cmx65cm8cmx65cm 工作电压 250kV 250kV150kV31lkV 320kV 电流强度 30kA 10kA 20kA 40kA 40kA 58A／cf84A／c一 78 电流密度 39A／cm2 A／cm2 电流腺宽 40ns 50ns 80ns 50ns 80ns 一次出束 70 300 100 618 参考文献 [3] [4] [5] [6】 [1]、[2] ．186． 第十届高功率鞋子束学术交流会议文集 H8’爵盟嚣盟酱嘲舞器麓戮筠管盘?觚7 TheSEM Fig．2 phmof雠№etetsiliconuehodematel_ 田2、单晶硅净阴楹材料的扫描电镜照片．I：‘及脉冲电漉鞠出波形。