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第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池） 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜 1,2 1 1 1 1 1 1 2 王涛王涛 ，宋鑫，宋鑫 ，潘清涛，潘清涛 ，胡增鑫，胡增鑫 ，贺天太，贺天太 ，贾海军，贾海军 ，麦耀华，麦耀华 ，张铭，张铭 ，， 王涛王涛 ，，宋鑫宋鑫 ，，潘清涛潘清涛 ，，胡增鑫胡增鑫 ，，贺天太贺天太 ，，贾海军贾海军 ，，麦耀华麦耀华 ，，张铭张铭 ，， 严辉严辉 2 严辉严辉 1 2 保定天威薄膜光伏有限公司 071051， 北京工业大学 100124 摘要：摘要：本文采用铝诱导晶化的方法，在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅 摘要摘要：： 薄膜。文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅薄膜晶化率计算方法。解决了由于铝 诱导晶化硅薄膜过程中不同区域晶化率差异，导致总晶化率统计上困难的问题。针对我们的 研究结果，进一步探讨了非晶硅晶化中出现的形核与生长机理和模型。我们认为，Si的形 核发生在 Al/Si界面并在周围形成 Si 耗尽区，由此也阻止了新形核的出现。 关键词关键词：多晶硅薄膜 铝诱导晶化 晶化率 生长模型 关键词关键词 1.1. 引言 引言 尽管铝诱导晶化方面的研究已有较多 1.1. 引言引言 目前，发展多晶硅薄膜太阳能电池的一 报道[10-12]，但是关于薄膜的区域晶化过程仍 大挑战，就是如何采用低温工艺，在廉价衬 然需要进一步的研究。Widenborg 等[13]人研 底（例如，超白浮法玻璃）上实现晶硅生长。 究了铝诱导晶化过程中多晶硅薄膜表面形 一种广泛采用的工艺方法是，首先在异质衬 貌的变化，同时提出了晶化模型来解释铝诱 底上沉积非晶硅，随后在低温下实现晶化过 导层交换过程。但是，由于在光学显微镜 程。常用的晶化工艺包括固相晶化(solid (optical microscope，OM)和扫描电镜(scan phase crystallization，SPC) [1]，激光晶 electron microscope，SEM)下，晶粒间的 化(laser induced crystallization，LIC) 晶界是很难区分的，故晶粒的具体生长过程 [2] 和 金 属 诱 导 晶 化 (metal induced 目前并不明确。在我们的报道中，采用了控 [3] crystallization，MIC) 。其中，金属诱 制 Al/Si 厚度比例的方法，获得了晶粒易于 导晶化具有成熟的低温晶化工艺，所以在工 分辨的多晶硅薄膜。同时，我们引入了一种 业化方面具有很大的潜力。相对于传统晶体 新的晶化率评估方法：利用光学显微镜、拉 硅太阳能电池的高温工艺，采用金属诱导晶 曼光谱(Raman spectra)和 X 射线衍射谱 化可以大幅降低生产成本。为了能在玻璃衬 (X-ray diffraction，XRD)相结合的方法表 o 底上得到多晶硅薄膜，晶化温度要在 600