爱德万测试开发太赫兹光谱及成像分析平台.pdfVIP

满足2G、3G和4GLTE无线基础设施中高频率和低 全新的氮化镓工艺，这些产品为通讯系统提供了性 相位噪声 的需求 。通过采用 IDT已被验证 的 能、尺寸和耐用性的优势。 FemtoClock~ NG技术，这种低相位噪声特性可使系 TriQuint在原有的四分之一微米工艺中补充了 统的模数和数模转换器 (ADCs／DACs)实现高精度 一 个高压变体——TQGaN25HV。这种新的制造工艺 和低失真度的目标。 延伸了0．25微米氮化镓的漏极操作电压至48V，同 IDT8V19N4xx同时也可提高信号传输完整性 时为 DC一10GHz应用提供更高的击穿电压、更强的 和信号接收灵敏度 ，并通过较低的比特错误率 功率密度和高增益。 (BER)来增加数据吞吐量。此外，射频信号路径中 TriQuint全新氮化镓解决方案的产品组合还包 噪声的减少有助于基站开发者减少系统滤波器要 括了突破性的TAT9988——个可用于有线电视和光 求 ，从而降低成本和复杂性。(来 自IDT公司) 纤到户光学网络的直接接人电路板式单片式微波集 成电路 (MMIC)放大器。TAT9988由TriQuint第二 爱德万测试开发太赫兹光谱 代的原始 TQGaN25工艺制成 ，在增益、复合失真性 及成像分析平台 能和表面安装便利性上都处于行业领先地位。(来 自TriQuint半导体) 爱德万测试 (ADVANTEST)宣布成功开发太 赫兹 (Terahertz)光谱及成像分析平台，成为已有的 S_liconLabs推 出 太赫兹波非侵人性分析设备系列中最新成员。新产 业界首款单晶片MEMS振荡器 品通过把太赫兹光源和检测器分离成独立模组并以 光纤与主机联接，使得被测区域可以任意灵活布置， SiliconLabs(芯科实验室有限公司)日前宣布 扩大应用范围。 推出业界最高集成度基于MEMS的Si50x振荡器， 太赫兹技术是在测量和分析方面的前沿技术 ， 旨在替代需要低成本 、低功耗和批量生产的工业、嵌 结合其他实验设备如液氦低温保持器 (Cryostat)及 入式和消费类 电子应用 中的通用型晶体振荡器 加热器 ，用于开发新材料和物理分析。实验室一般 (XO)。新型Si50x振荡器基于SiliconLabs专利的 要求测量设备的高精度且易于使用，爱德万测试公 CMEMS@技术，此为首个在大批量生产中把 MEMS 司的新太赫兹光谱及成像分析平台满足了这些要 架构直接构建于标准CMOS晶圆(Wafer)上 ，从而 求，帮助研发人员达到高精度、高效率。 获得完全集成的高可靠 “CMOS+MEMS”单芯片解 通过把太赫兹光源和检测分离成独立模组并以 决方案。 光纤与主机联接，使得被测区域可以任意灵活布置。 Si50xCMEMS振荡器支持 32kHz一100MHz之间 这一平台也可以与其他实验设备相连，支援利用在 的任意频率 。频率稳定性选项包括 ±20ppm、 应用 太赫 兹 的更 广泛 的研 究项 目。 (来 自 ±30ppm和 ±50ppm，运行温度范围支持商业应用 ADVANTEST) (一2O℃至 +70℃)和工业应用 (一40℃至 +85oC)。 CMEMS振荡器还提供丰富的现场和工厂可编程特 TriQuint推出卓越新产品和代工服务 性 ，包括低功耗和低周期抖动模式、可编程的上升 ／