生长速率对低压MOCVD外延生长GaAsGe异质结的影响.pdfVIP

第 31 卷第 12 期 　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　Vol 31 No 12 光 　子 　学 　报 2002 年 12 月 　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　December 2002 　 ACTA PHO TON ICA SIN ICA 生长速率对低压 MOCVD 外延生长 GaAs/ Ge 异质结的影响 汪　韬　李宝霞　李晓婷　赛小锋　高鸿楷 ( 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室 ,西安 710068) ( ) ( ) ( ) 摘 　要 　采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 L PMOCVD 设备 ,在 Ge 100 向 110 面 偏 9°外延生长出 GaAs 单晶外延层 ,对电池材料进行了 X 射线衍射测试分析 ,半峰宽为 52″ 讨 论了外延生长参量对 GaAs/ Ge 的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与 GaAs 单晶 外延生长参量有关 适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长 关键词 　液相金属氧化物化学汽相沉积 ; GaAs/ Ge ;反向畴 0 　引言 　　GaAs 为直接带隙半导体材料 ,与太阳光谱的 极易形成反向畴 反向畴造成电池机械性能的下 匹配较理想 以它为材料的太阳电池较 Si 太阳 降 ,导致表面形貌粗糙化 , 电池工艺的均匀性变 电池有更高的转换效率 特别是这种材料制成的 4 差 而且在材料中形成深能级缺陷 ,形成强的散 太阳电池能耐高温 ,在 250 ℃的条件下光电转换 5 射中心和复合中心 反向畴破坏界面的电学和 性依然良好 但是 , GaAs 衬底价格昂贵、机械性 光学特性 ,进而破坏整个器件的性能 ,特别对于 能差 ,限制了其应用 与 GaAs ( Eg = 1. 42eV) 晶 GaAs/ Ge 太阳电池 ,其将导致电池效率的大大下 格失配较小的 Ge ( Eg = 0 . 66eV) 材料 ,具有良好 降 ,如重电池的退化机制 ,降低太阳电池的使用寿 的机械性能 ,可以切割成更薄、重量更轻的衬底 , 命 这样抑制反向畴的生长成为 GaAs/ Ge 异质 而且它具有优良的抗辐射性能 ,大大提高太阳电 外延生长的基础和关键 为抑制反向畴的生长 , 池组件的功率/ 重量比 ,可以有效降低卫星的体积 通常采用偏角稍大的衬底 但是大偏角的衬底容 和重量 ,是空间太阳电池理想的衬底材料 对于 易形成台面间的聚集 ,这将造成外延层生长时产 GaAs/ Ge 太阳电池的研究 , 国际上已取得了长足 生层错堆积 ,形成大的缺陷 ,严重影响器件的性能 的进展 特别以此为基础的 GaInP / GaAs/ Ge 叠 2 对于大偏角的 Ge 衬底要同时解决抑制反向畴和 层电池 ,理论转换效率大于 34 % (AM1 5) 1 , 目前 避免层错堆积两个问题 这不仅与过渡层的生长 2 已取得了 30 % 以上的效率 具有耐辐射、长寿