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国内外光纤电压传感器研究进展※
李长胜 崔翔察延彪p 李宝树
曹 7 1 00
(华北电力大学电力工程系19信箱,河北省保定市,0 3)
0008
(·清华大学电子工程系,北京,1 4)
掘:光纤电压倒端戮秭女据的物理;酆丑攫有泡克尔斯效应、克尔效应晰蚯电效应,据
● 此,本文对国内外光纤电压传感器及其工作原理、主要特性进行了分类介绍与评述:同时对
此类传感器的温度稳定性和亩硫电压传感问题§自!彳亍了分析,并提供若干篇错g昔施。
关黼光纤电压传感器,电光黼,逆压电效应,温度
一、弓陪
目前,电压测量方法可分为两大类,即电磁测量方法和光学测量方法。电磁瓣量方法
主要依据电磁感应原理,包括电阻或电容分压器、变压器型电压互感器以及各类商低压电压
表。它们各有忱点但都不具有龟气绝缘性:而被测电压(特别是高电压)与测量仪器终端之
间的电绝缘问题一直是电压测量的技术难题之一。近二十年来,迅速发晨的光纤传感技术为
PotⅢfial
解决这—难删盯有效途径。光纤电暖崩懿§(o砸cal T啊1s由】cer;简称OPT)不
但电气鲍缚性好,而且还具有抗电磁干扰能力强、响应速度快、测量频带宽、不存在磁饱和
等一系列优点,在国内外受§旷泛关注。
OPT的工作原理主要是依据存在于某些功能材料中的电光效应,包括泡克尔斯
(Pockels)效应和克尔(Kerr)效应;此外,还有逆压电效应。本文恻剧细里效应的不同,
介绍目前国内外各种OPT的缗}勾、莉酾主I特性,并_分析了OPT研究中{勋娇媚措痢直
流电医传感问题,期蕾—{瑟域的进—步研究鼹供参考和借箍。
l、以Pockeh晶体作为簟嚼疹黼OPT
Pockels效应是指某些晶体在一定的外加电场作用下导致折射率改变,其变化量与外加
电场成线性关系:商舒啦醐摔的变化将使沿某一方向入射晶体的嫡振光产生相位移,且相
■
移量与外加电场强度成正比。具有这种效应的晶体称为P0ckeb晶体。
称BSO)和锗酸铋(厨√&jD,。简称BGO)。其中锗酸铋晶体透过率商、无自然双折射和自
然旋光性、也不存在热电效应,是研制OPT的酋选材料[1】。
目前大部分OFT均以P0ckeb晶体作为敏感元件。斌[2]撼苣了一橼于铮露骏锂
● 晶体的OPT,其f撼系统结构姬图1所示。它可用于传黪陕速暂态电压,其脉冲响应的上
升日搁为7m,在输入电压小于170V时,最捌量i吴差为5%。文献[3]作者吁瞒¨出采用
圆柱形钷酸锂晶体作为传感头的OPT.已被用于实验室内llOOkV串级高压发生器中电压分
※ 华北电力大学青年教师基金资劝项目.
$
圈l 一种以Pockels品体作为每撼元件的OFT典型结构
布的测量。此外,茹E[4]介绍了—种基于硅酸铋晶体的OPT.已被用于变电站内气体 璺
绝缘开关(GIs)电压、浪涌电压的
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