量子阱效应及其光电性质的表面光电压谱表征.pdfVIP

第 21 卷 　第 3 期 　　　　　　　　　河 　北 　建 　筑 　科 　技 　学 　院 　学 　报 　　　　　　　　　Vol 121 　No 13 2004 年 9 月 　　　　　Journal 　of 　Hebei 　Institute 　of 　Architectural 　Science 　and 　Technology 　 　　　　Sep12004 ( ) 文章编号 :1007 - 6743 2004 03 - 00101 - 04 量子阱效应及其光电性质的表面光电压谱表征 1 2 1 王华英 ,朱海丰 ,冯云鹏 ( 1. 河北工程学院 理学院 , 河北 邯郸 056038 ;2. 河北大学 物理科学与技术学院 , 河北 保定 071002) 摘要 :讨论了量子阱限制效应、激子的束缚能以及激子峰的形成 ,分析了量子阱的光电特性及量 子阱表面光电压的形成和特点。结果表明 :量子阱有根本不同于体材料的光电特性。 关键词 :半导体 ;量子阱 ;量子阱效应 ;表面光电压谱 ; 激子峰 中图分类号: O484. 1 　　　　　　　　文献标识码 :A 　　半导体的研究和应用 ,在当代物理学和高新 约束并使其能量量子化的势场 , 即被称为量子阱。 技术发展中占有突出的地位。以半导体超晶格、 用两种禁带宽度不同的材料 A 和 B 构成两个距离 量子阱、量子线、量子点为典型代表的低维半导体 很近的背靠背异质结 BPAPB ,若材料 A 是窄禁带半 结构则是近年来开拓的新领域 ,它在一个新的水 导体 ,且其导带底低于材料 B 的导带底 ,则当夹层 ( ) 平上有力地推进着半导体的研究和应用 , 并且已 的厚度小于电子的平均自由程 约 100nm 时 , 电子 成为凝聚态物理最活跃的新生长点和最富有生命 即被约束在材料A 中 ,形成以材料 B 为电子势垒、 力的重要前沿之一。 材料 A 为电子势阱的量子阱。若材料 A 的价带顶 目前,一些先进的薄膜生长技术如分子束外 也高于材料 B 的价带顶 , 则该结构同时也是以材 ( ) ( ) 延 MBE 、金属有机物化学汽相沉积法 MOCVD 料 B 为空穴势垒、材料 A 为空穴势阱的量子阱 ,如 能够生长出厚度小于玻尔半径的薄膜材料 ,从而 ( ) 图 1 a 所示。如果两种材料周期性地交替生长 , 得到高质量的量子阱、超晶格材料 , 由于量子限制 形成 BPAPBPA …结构 ,且 d 远大于 d ,即所谓多量 B A 效应 ,这些材料在光电性质上表现出了明显不同 子阱 ,如图 1 (b) 所示。半导体超晶格的结构与多 于体材料的特点 , 因而在光电器件上得到了广泛 量子阱相似 ,区别在于超晶格中的势垒层较薄 ,如 [1 ] [2 ] [3 ] ( ) 的应用 。用表面光电压谱 SPS 方法研究量