用Franz-Keldysh效应的的研究GaAs表面硫化学钝化.pdfVIP

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2015-07-25 发布于安徽
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用Franz-Keldysh效应的的研究GaAs表面硫化学钝化.pdf

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　第 20 卷第 11 期半　导　体　学　报 . 20, . 11 V o l N o 　1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999 用 - 效应研究 Franz Keldysh GaA s 表面硫化学钝化廖友贵　金　鹏　李乙钢　张存洲　潘士宏 (南开大学物理系　天津　300071) 梁基本 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　硫钝化是一种比较有效的钝化表面的方法. 本文使用、和 GaA s N a S S C l CH CSN H 2 2 2 3 2 ( + ) 三种化学试剂对表面本征层重掺杂层结构的样品进行了钝化, 利用光调制反射 s i n GaA s 谱观察到许多个振荡, 测量出本征层的电场强度, 研究了表面硫钝化前后 F ranz Keldysh GaA s 费米能级的变化, 并且比较了各种钝化方法的钝化效果. : 8160 , 7865, 7320 PACC C 1　引言近年来利用分子束外延( ) 生长的表面本征 + (或 + ) 结构 + (或 + ) , 同时 M BE n p S IN S IP 利用光调制反射谱( ) 的效应( ) , 可以精确地确定半导体表面层中的 PR F ranz Keldysh FKE [ 1 ] 电场强度, 为研究各种表面和界面问题提供了一种比较简便的方法 . GaA s 表面的硫钝化处理能够有效地减小表面态密度和表面复合速率, 改善器件的特性, 是一个受到广泛关注的研究课题. H ildeb randt 等曾用 FKE 方法研究过掺杂 GaA s 的硫钝化, 采用( ) 水溶液 N H 4 2 S 作钝化剂, 发现费米能级的钉扎位置向价带顶位移 038eV , 表面态的分布作了相应的移 [ 2 ] + [ 3 ]