关于Si1-x-yGexCy工艺和材料特性一些研究.pdfVIP

关于Si Ge C 工艺和材料特性的一些研究 1-x-y x y 季伟, 缪燕, 谢烜, 肖胜安 上海华虹NEC电子有限公司， 201206 摘要： Si Ge C 是继Si和GaAs之后的又一重要的半导体材料。 由于Si Ge C 具有 1-x-y x y 1-x-y x y 优于纯Si材料的良好特性，工艺和制程又可与Si工艺兼容，采用Si Ge C及其 1-x-y x Si Ge C /Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管 (heter