激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法分析CrZnSe晶体中掺杂元素Cr的含量与分布.pdfVIP

第43 卷 分析化学 (FENXI HUAXUE)摇 研究简报 第1 期 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 2015 年1 月 Chinese Journal of Analytical Chemistry 151 ~154 DOI:10.11895/j.issn.0253鄄3820.140355 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法分析 Cr 颐ZnSe 晶体中掺杂元素Cr 的含量和分布 1 1 *1 1,2 1 1 2 *1 朱 燕摇 陈敏摇 屈海云 摇 周 慧 摇 李 青摇 邹慧君 摇 陈奕睿摇 汪 正 1 2 (中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050)摇 摇 (华东理工大学,上海200237) 摘摇 要摇 采用激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(LA鄄ICP鄄MS)法研究激光晶体材料 Cr 颐ZnSe 晶体中掺杂元素 铬(Cr)的含量和分布。 利用镀膜扩散掺杂方法,制备不同掺杂浓度的Cr 颐ZnSe 晶体标准样品作为固体标准 物质,实现Cr颐ZnSe 晶体中Cr 的定量分析。 LA鄄ICP鄄MS法研究自制标准样品中Cr 的分布均匀性,电感耦合 等离子体光谱法测定其准确含量。 通过激光点剥蚀和线扫描剥蚀采样,获得Cr元素的点位和含量分布信息, 实现晶体中Cr 的原位微区分析。 标准工作曲线相关系数0.9992,检出限0.08 mg/ kg。 本方法可为不同生长 条件下Cr颐ZnSe 晶体中Cr 的统计分布分析提供有效检测手段。 关键词摇 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱;Cr颐ZnSe 晶体;掺杂 1摇 引摇 言 2+ 作为在常温下可调谐中红外固体激光材料,Cr 颐ZnSe 晶体具有较宽的吸收和发射带宽、较高的激 [1~4] 2+ 光增益,在环境监测、大气遥感、医疗、激光通信等领域有着广泛的应用前景 。Cr 掺杂浓度及其均 匀性是评价晶体性能的重要指标。 半导体材料中过渡族金属(TM)掺杂的一个典型特征是TM离子几 [5] 1+ 2+ 3+ 2+ 种电荷状态共存 。 在Cr掺杂ZnSe 晶体中,Cr 以Cr 、Cr 、Cr 形式共存,其中Cr 为主要稳定电荷状 [6] 2+ 态(95%),其浓度正比于总Cr浓度 。 因此,准确测定Cr 或总Cr浓度及其分布情况对晶体制备及性 能评价意义重大。 目前,Cr掺杂浓度测定主要采用电感耦合等离子体原子吸收光谱(ICP鄄AES)法和近 [7] 红外吸收光谱法 。 但这两种方法均无法表征晶体的均匀性,从而影响掺杂元素浓度的准确测定。 激光剥蚀电感耦合等离子质谱(LA鄄ICP鄄MS)技术,已成为现代固体材料中元素组成分布和同位素 [8,9] [10~16] 分析的最有用方法之一 ,广泛应用于地球化学、考古、环境科学、材料科学、生命科学等领域