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第卜七届全国半导体物理学术会议论文集 中国·长春2009年8月16日.20日
宽带隙半导体SiC材料与器件基础问题研究进展
王德君
大连理工大学电子与信息工程学院辽宁大连116024
Email:dwangl21@dlut.edu.cn
引言:
宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移
速度等特点,在高耐压、高温高频和抗辐射器件方面能够实现硅材料无法实现的高功率低损
耗等优异性能,在电力系统、电动汽车、通讯、航天和军事等领域中具有广泛应用,其研究
广为关注。
自2004年起,国际上关于SiC材料与器件技术逐渐成熟,研究侧重点开始向基础研究
方向倾斜。在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议(广州,2008
年11月)上,与会各主要SiC研究单位有类似共识,即国际国内关于半导体SiC材料与器
件的研究,都存在着技术领先而基础研究严重滞后的问题,无法对实际工艺形成理论指导。
国内面向器件技术的材料基础研究尚十分缺乏。在这种背景下,我课题组自2005年起在国
家重大基础研究前期专项课题“新一代半导体材料与器件基础问题”支持下,就SiC表面及
界面问题开展了基础研究,现借此机会结合国际国内研究现状介绍其主要研究进展。
1.两个基本问题及其解决方案
1.1欧姆接触问题
欧姆接触问题是新型半导体器件尤其是宽带隙半导体研究中的最基本问题,是研究的
难点,也是关键和切入口。对于特定SiC半导体材料而言(固定杂质掺杂浓度),欧姆接触
除了与电极材料有关外,接触电阻还受SiC半导体高表面态密度的影响。为此,除了探索
新型电极材料外,通过表面改性改善表面态,消除费米能级钉扎效应,是解决欧姆接触问
题的一条重要途径。因此,SiC半导体表面研究,包括表面组成、结构及改性机制研究是
SiC材料与器件研究中的一个重要方向。
1.2MOS界面态问题
实际研究制作的SiC
MOSFET器件存在沟道迁移率低的问题,降低Si02/SiC界面态密度,
改善界面电学性质成为SiC器件研究的关键之一。国际上在制备高质量SiCMOS界面工艺上
做了大量探索,取得了一系列研究结果,但界面处理技术对界面的钝化机理尚不清楚,缺乏
界面工艺与界面缺陷相关性的基础研究。基础研究明显滞后于技术研究,究其原因是因为到
目前为止,界面缺陷尤其是界面过渡层的组成、结构与成分分布等仍未完全清晰。在这种背
景下,研究Si02/SiC界面缺陷组成和结构,进一步明晰界面缺陷与界面工艺性能间的关系十
分重要。
2.表面界面问题国内外研究现状
2.1欧姆接触问题与半导体表面
研究角度离子注入掺杂;电极材料工艺;表面工程,等。
欧姆电极材料体系主要研究体系有:Ni基金属体系,如NiCr和Pt/NiCr等;Ti基金属
体系,如Ti和TiC等;以及其它合金或多层金属体系,如Aufri/A1等。
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第十七届全国半导体物理学术会议论文集 中国·长春2009年8月16日.20日
表面处理技术清除表面杂质污染,针对高表面缺陷,解决费米能级钉扎效应等问题。
采取沸水处理,高温氢气氛处理,氢等离子体处理,等。沸水处理具有表面氢化清除表面氟
离子污染等效果,但氢化效果较差;高温氢气氛处理处理温度高达10000C;通常的氢等离子
体处理温度也要在6000C以上。上述处理方法均存在高温劣化问题。
2.2MOS界面
界面缺陷:一些国外研究小组针对Si02/SiC界面缺陷的结构进行了实验和推测,提出了
悬挂键、界面碳团簇、近界面氧化层空位缺陷和界面过渡层四种界面缺陷类型,但界面缺陷
的组成、结构与成分分布等尚未清楚。
界面工艺:国际上在制备高质量SiCMOS界面工艺上做了大量探索:从优化MOSFET
器件结构及其工艺角度,有埋入反型沟道,5掺杂沟道,外延沟道等途径;从衬底材料选择
角度,有利用不用晶型和晶面之说;针对界面缺陷,从改善界面态角度,有各种不同气氛界
面改性(退火)处理技术,如氢气氛退火,二次氧化处理(ROA)、氮钝化等,但界面处理技
术对界面的钝化机理尚不清楚,缺乏界面工艺与界面缺陷相关性的研究。
3.本课题组工作
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