横向驱动热执行器的结构模型及其模拟.pdfVIP

iP斧出器件1}：36GHz中心频率上的足为11275，另外(4)式中的前两式也满足。这时器 件为无条蛳靛。 0软件f．进行模拟．我 ／灯存Pspice5 们将GaAsMESFET器件两端先接50Q阳 45GHz 抗．然后在输八端接一阶Butforworth 高通滤波器．在输出端接一阶ButterworXh 50—6 0GHz带通滤波器， 4．模拟结果 对滤波嚣进行优化设计、模拟，两个滤 波器的传输特性模拟结果见图3所示。然后 将其与GaAsMESFET器件连接，见图4所示． 0 图上标出了各个元件的数值，经过PsDice5 模拟．器件在4(JGHz到65GHz的增益见图 5所示．基本与实验测量值吻合． 5．结束语 本文提出了一种模拟C,aAsMESFET器 件的方法，即用测量的s参数，采用多变量 优化的算法，提取fiefsMESFET器件的本征 rllrIc一 和非本征参数．再用D【1测量值拟合出C 模型中的参数，然后设计微波滤波电路．最 ce5．0优化软件进行模拟，舱 后用普通Pspi 验模拟数据是否与测量值吻合．以检查所建圈 立的模型的正确性。为大管芯、多管芯匹配 fbl带通滤波器 和功率合成提供基础。 草 亨 芎 GaAsMESFET 0∞#∞0∞图5栅宽2100um 图4微波功率GaAsMESFET器件与内旺酣刚络增益与频率的关系 电路模拟接线结构 参考文献 lnthe ofGaAs Circuits”、IEEE i WRCuaice．”AMESFETModelforUse Design Integrated Trans旧旧一28(1990)448—446 Shimura．YKawasaki．YOhashi．12Saito．andYDaido．“An 2． KShirakawa．HOikawa、T for an circuitHEMrS．”JE髓TransMicrowave to equivalent Theory approachdetermining Tech、vol43 499—503．Mar．1995 PP —613— ＼ 取微执行器中任何一根杆件垂直于长度方向相距△x的纵截面形成的微元体。考察微 元体单位时问内的热流控制项【4J，考虑电流加热和由y-热辐射、村底热传导和空气自然对 流从微元体散失的热量，根据能量守恒原理，可以得到每一杆件温度分布服从的微分方程： 』2巾 a (1) ‘‘^ ～ 联立求解每一杆件满足的方程可以得到整个热执行器上的温度分布。结果表明，对于 热臂240、冷臂180的多晶硅器件．当施加5mA电流时，结构热臂温度最高值为668．0816 ℃：冷臂温度最低值120．583℃；弯曲臂温度上升，达到极大值193．393C。在这个器件 中，热臂和冷臂最大的温度差约为5唾8℃，正是这个温度差产生的温度应力导致结构发生 弯曲。 三．结构力学模型pl 结构力学将结构离散成杆系进行处理。横向熟驱动微执行器可以离散为如图2所示的